دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond
دانلود کتاب مدل های فشرده برای طراحی مدار مجتمع: ترانزیستورهای معمولی و فراتر از آن
مشخصات کتاب
Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond
ویرایش:
نویسندگان: Samar K. Saha
سری:
ISBN (شابک) : 1482240661, 9781482240665
ناشر: CRC Press
سال نشر: 2015
تعداد صفحات: 537
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 15 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 31,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مدل های فشرده برای طراحی مدار مجتمع: ترانزیستورهای معمولی و فراتر از آن: مدارهای طراحی الکترونیک الکترونیک مهندسی حمل و نقل میکروالکترونیک مواد علم مواد استخراج بتن پردازش شکستگی مکانیک متالورژی پلیمرها منسوجات قدرت تست استفاده جدید کتابهای درسی اجاره کتابهای درسی کسب و کار امور مالی ارتباطات روزنامه نگاری آموزش کامپیوتر علوم انسانی حقوق پزشکی علوم پزشکی علوم اجتماعی آزمون Mathematic Sciences
در صورت تبدیل فایل کتاب Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدل های فشرده برای طراحی مدار مجتمع: ترانزیستورهای معمولی و فراتر از آن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب مدل های فشرده برای طراحی مدار مجتمع: ترانزیستورهای معمولی و فراتر از آن
مدل‌های فشرده برای طراحی مدار مجتمع: ترانزیستورهای معمولی و فراتر از آن یک رساله مدرن در مورد مدل‌های فشرده برای طراحی مداری به کمک رایانه (CAD) ارائه می‌کند. نوشته شده توسط نویسنده ای با بیش از 25 سال تجربه صنعتی در فرآیندهای نیمه هادی، دستگاه ها و CAD مدار، و بیش از 10 سال تجربه آکادمیک در آموزش دوره های مدل سازی فشرده، این اولین کتاب در نوع خود در مورد مدل های فشرده SPICE برای طراحی تراشه یکپارچه در مقیاس بسیار بزرگ (VLSI) ارائه متعادلی از مدل‌سازی فشرده را ارائه می‌دهد که برای پرداختن به چالش‌های مدل‌سازی فعلی و درک مدل‌های جدید برای دستگاه‌های نوظهور ضروری است.
شروع از فیزیک نیمه‌رساناها و پوشش وضعیت -رژیم های دستگاه های هنری از میکرون معمولی تا نانومتر، این متن:
- مدل های استاندارد صنعتی را برای ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT)، میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (MOS) ارائه می کند. - ترانزیستورهای اثر (FET)، FinFETها و ترانزیستورهای اثر میدان تونلی (TFET)، همراه با مدل‌های آماری MOS
- موضوع اصلی تغییرپذیری فرآیند را مورد بحث قرار می‌دهد که به شدت بر عملکرد دستگاه و مدار در فناوری‌های پیشرفته تأثیر می‌گذارد. و نیاز دارند مدل‌های فشرده آماری
- تحقیقات بیشتر در مورد تکامل و توسعه مدل‌های فشرده برای طراحی و تحلیل مدار VLSI را ترویج می‌کند
- دانش اساسی و عملی لازم برای طراحی مدار مجتمع (IC) کارآمد را با استفاده از دستگاه های نانومقیاس
- شامل مسائل تمرینی در پایان هر فصل و مراجع گسترده در انتهای کتاب
مدل های فشرده برای طراحی مدار مجتمع: ترانزیستورهای معمولی و فراتر از آنبرای دوره های کارشناسی ارشد و کارشناسی ارشد در مهندسی برق و الکترونیک و همچنین برای محققان و متخصصانی که در زمینه دستگاه های الکترونی کار می کنند در نظر گرفته شده است. با این حال، حتی کسانی که با فیزیک نیمه هادی ها آشنا نیستند، درک کاملی از مفاهیم مدل سازی فشرده از این کتاب به دست می آورند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond provides a modern treatise on compact models for circuit computer-aided design (CAD). Written by an author with more than 25 years of industry experience in semiconductor processes, devices, and circuit CAD, and more than 10 years of academic experience in teaching compact modeling courses, this first-of-its-kind book on compact SPICE models for very-large-scale-integrated (VLSI) chip design offers a balanced presentation of compact modeling crucial for addressing current modeling challenges and understanding new models for emerging devices.
Starting from basic semiconductor physics and covering state-of-the-art device regimes from conventional micron to nanometer, this text:
- Presents industry standard models for bipolar-junction transistors (BJTs), metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect-transistors (FETs), FinFETs, and tunnel field-effect transistors (TFETs), along with statistical MOS models
- Discusses the major issue of process variability, which severely impacts device and circuit performance in advanced technologies and requires statistical compact models
- Promotes further research of the evolution and development of compact models for VLSI circuit design and analysis
- Supplies fundamental and practical knowledge necessary for efficient integrated circuit (IC) design using nanoscale devices
- Includes exercise problems at the end of each chapter and extensive references at the end of the book
Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond is intended for senior undergraduate and graduate courses in electrical and electronics engineering as well as for researchers and practitioners working in the area of electron devices. However, even those unfamiliar with semiconductor physics gain a solid grasp of compact modeling concepts from this book.
فهرست مطالب
Content: Introduction to Compact ModelsCompact Models for Circuit SimulationBrief History of Compact Device ModelingMotivation for Compact ModelingCompact Model UsageCompact Model StandardizationSummaryExercises Review of Basic Device PhysicsIntroductionSemiconductor PhysicsTheory of n-Type and p-Type Semiconductors in ContactSummaryExercises Metal-Oxide-Semiconductor SystemIntroductionMOS Capacitor at EquilibriumMOS Capacitor under Applied BiasMOS Capacitor TheoryCapacitance of MOS StructureSummaryExercises Large Geometry MOSFET Compact ModelsIntroductionOverview of MOSFET DevicesMOSFET Threshold Voltage ModelMOSFET Drain Current ModelSummaryExercises Compact Models for Small Geometry MOSFETsIntroductionThreshold Voltage ModelDrain Current ModelSubstrate Current ModelSummaryExercises MOSFET Capacitance ModelsIntroductionBasic MOSFET Capacitance ModelCharge-Based Capacitance ModelGate Overlap Capacitance ModelLimitations of the Quasistatic ModelS/D pn-Junction Capacitance ModelSummaryExercises Compact MOSFET Models for RF ApplicationsIntroductionMOSFET Noise ModelsNQS EffectModeling Parasitic Elements for RF ApplicationsSummaryExercises Modeling Process Variability in Scaled MOSFETsIntroductionSources of Front-End Process VariabilityCharacterization of Parametric Variability in MOSFETsConventional Process Variability Modeling for Circuit CADStatistical Compact ModelingMitigation of the Risk of Process Variability in VLSI Circuit PerformanceSummaryExercises Compact Models for Ultrathin Body FETsIntroductionMultigate Device StructuresCommon Multiple-Gate FinFET ModelIndependent Multiple-Gate FET ModelDynamic ModelSummaryExercises Beyond-CMOS Transistor Models: Tunnel FETsIntroductionBasic Features of TFETsBasic Theory of TFET OperationTFET Design ConsiderationsCompact TFET ModelsSummaryExercises Bipolar Junction Transistor Compact ModelsIntroductionBasic Features of BJTsBasic Operation of BJTsMode of Operations of BJTsCompact BJT ModelSummaryExercises Compact Model Library for Circuit SimulationIntroductionGeneral Approach to Generate Compact Device ModelModel UsageSummarySample Model Cards
