ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب CMOS Processors and Memories

دانلود کتاب پردازنده ها و حافظه های CMOS

CMOS Processors and Memories

مشخصات کتاب

CMOS Processors and Memories

دسته بندی: الکترونیک: پردازش سیگنال
ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Analog Circuits and Signal Processing 
ISBN (شابک) : 9048192153, 9789048192151 
ناشر: Springer Netherlands 
سال نشر: 2010 
تعداد صفحات: 387 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 10 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 50,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 5


در صورت تبدیل فایل کتاب CMOS Processors and Memories به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب پردازنده ها و حافظه های CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب پردازنده ها و حافظه های CMOS



پردازنده‌ها و حافظه‌های CMOS به جدیدترین فناوری‌ها در طراحی مدارهای مجتمع در زمینه سیستم‌های محاسباتی نوظهور می‌پردازد. فرصت های طراحی جدید در حافظه ها و پردازنده مورد بحث قرار می گیرد. مواد نوظهوری که می‌توانند عملکرد سیستم را فراتر از CMOS استاندارد ببرند، مانند نانولوله‌های کربنی، گرافن، فروالکتریک و اتصالات تونلی مورد بررسی قرار می‌گیرند. خاطرات. در قسمت اول با طراحی پردازنده با کارایی بالا و توان کم شروع می کنیم و به دنبال آن فصلی در مورد پردازش چند هسته ای ارائه می شود. هر دو آنها مفاهیم پیشرفته را در صنعت محاسبات فعلی نشان می دهند. فصل سوم به طراحی ناهمزمان می پردازد که هنوز نویدهای زیادی برای نیازهای محاسباتی آینده دارد. در پایان ما یک روش "کاوش فضای طراحی سخت افزار" را برای پیاده سازی و تجزیه و تحلیل سخت افزار برای چارچوب استنتاج بیزی ارائه می کنیم. این روش خاص شامل: تجزیه و تحلیل هزینه محاسباتی و کاوش اجزای سخت‌افزار نامزد، پیشنهاد معماری‌های سفارشی مختلف با استفاده از CMOS سنتی و نانوتکنولوژی ترکیبی CMOL است. بخش اول با معماری های ترکیبی CMOS-Nano به پایان می رسد.

بخش دوم، حافظه های پیشرفته SRAM، DRAM، و حافظه های فلش و همچنین مفاهیم دستگاه های نوظهور را پوشش می دهد. حافظه نیمه هادی نمونه خوبی از طراحی کامل سفارشی است که از مدارهای آنالوگ و منطقی مختلف برای استفاده از فیزیک دستگاه سلول حافظه استفاده می کند. اثرات فیزیکی حیاتی که شامل تونل زدن، تزریق الکترون داغ، به دام انداختن بار (فلش مموری) است به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است. خاطرات نوظهور مانند FRAM، PRAM و ReRAM که به مغناطش، تراز اسپین الکترون، اثر فروالکتریک، چاه پتانسیل داخلی، اثرات کوانتومی و ذوب حرارتی بستگی دارند نیز شرح داده شده‌اند.

CMOS پردازنده‌ها و حافظه‌ها برای هر کسی که در مورد طراحی مدار برای فناوری‌های محاسباتی آینده جدی است، ضروری است. این کتاب توسط کارشناسان برجسته بین المللی در صنعت و دانشگاه نوشته شده است. می توان از آن در برنامه درسی دوره تحصیلات تکمیلی استفاده کرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

CMOS Processors and Memories addresses the-state-of-the-art in integrated circuit design in the context of emerging computing systems. New design opportunities in memories and processor are discussed. Emerging materials that can take system performance beyond standard CMOS, like carbon nanotubes, graphene, ferroelectrics and tunnel junctions are explored.

CMOS Processors and Memories is divided into two parts: processors and memories. In the first part we start with high performance, low power processor design, followed by a chapter on multi-core processing. They both represent state-of-the-art concepts in current computing industry. The third chapter deals with asynchronous design that still carries lots of promise for future computing needs. At the end we present a “hardware design space exploration” methodology for implementing and analyzing the hardware for the Bayesian inference framework. This particular methodology involves: analyzing the computational cost and exploring candidate hardware components, proposing various custom architectures using both traditional CMOS and hybrid nanotechnology CMOL. The first part concludes with hybrid CMOS-Nano architectures.

The second, memory part covers state-of-the-art SRAM, DRAM, and flash memories as well as emerging device concepts. Semiconductor memory is a good example of the full custom design that applies various analog and logic circuits to utilize the memory cell’s device physics. Critical physical effects that include tunneling, hot electron injection, charge trapping (Flash memory) are discussed in detail. Emerging memories like FRAM, PRAM and ReRAM that depend on magnetization, electron spin alignment, ferroelectric effect, built-in potential well, quantum effects, and thermal melting are also described.

CMOS Processors and Memories is a must for anyone serious about circuit design for future computing technologies. The book is written by top notch international experts in industry and academia. It can be used in graduate course curriculum.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-vi
Front Matter....Pages 1-1
Design of High Performance Low Power Microprocessors....Pages 3-27
Towards High-Performance and Energy-Efficient Multi-core Processors....Pages 29-51
Low Power Asynchronous Circuit Design: An FFT/IFFT Processor....Pages 53-95
CMOL/CMOS Implementations of Bayesian Inference Engine: Digital and Mixed-Signal Architectures and Performance/Price – A Hardware Design Space Exploration....Pages 97-138
A Hybrid CMOS-Nano FPGA Based on Majority Logic: From Devices to Architecture....Pages 139-161
Front Matter....Pages 163-163
Memory Systems for Nano-computer....Pages 165-196
Flash Memory....Pages 197-232
CMOS-based Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (ST–MRAM)....Pages 233-252
Magnetization Switching in Spin Torque Random Access Memory: Challenges and Opportunities....Pages 253-294
High Performance Embedded Dynamic Random Access Memory in Nano-Scale Technologies....Pages 295-336
Timing Circuit Design in High Performance DRAM....Pages 337-360
Overview and Scaling Prospect of Ferroelectric Memories....Pages 361-380




نظرات کاربران