برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب CMOS Past, Present and Future.

دانلود کتاب CMOS گذشته، حال و آینده.

مشخصات کتاب

CMOS Past, Present and Future.

ویرایش:  
نویسندگان: Luo. Jun,  Radamson. Henry,  Simoen. Eddy,  Zhao. Chao  
سری: Woodhead Publishing series in electronic and optical materials. 
ISBN (شابک) : 9780081021408, 0081021402 
ناشر: Elsevier Science 
سال نشر: 2018 
تعداد صفحات: 280 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 17 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 40,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 13

در صورت تبدیل فایل کتاب CMOS Past, Present and Future. به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب CMOS گذشته، حال و آینده. نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب CMOS گذشته، حال و آینده.

گذشته، حال و آینده CMOS بینشی از اصول اولیه تا پیشرفته ترین پردازش CMOS و مشخصات الکتریکی، از جمله ادغام فوتونیک مبتنی بر نیمه هادی های گروه IV را ارائه می دهد. این کتاب به مشکلات و فرصت‌های مرتبط با استفاده از هترو-اپیتاکسی روی سیلیکون با مهندسی کرنش و ادغام فوتونیک و کانال‌های با تحرک بالا بر روی یک پلت فرم سیلیکونی می‌پردازد. این با تعاریف و معادلات اساسی آغاز می شود، اما به فن آوری ها و چالش های کنونی گسترش می یابد، و یک نقشه راه در مورد منشاء فناوری و تکامل آن تا کنون، همراه با چشم اندازی برای روندهای آینده ایجاد می کند. این کتاب چالش‌ها و فرصت‌هایی را که مواد فراتر از سیلیکون فراهم می‌کنند، بررسی می‌کند، از جمله نگاهی دقیق به مواد با کیفیت بالا و دروازه‌های فلزی، مهندسی کرنش، مواد کانال و تحرک، و تماس‌ها. رویکرد کلیدی کتاب بر روی خصوصیات، پردازش دستگاه و اندازه‌گیری‌های الکتریکی است. به چالش‌ها و فرصت‌ها برای استفاده از CMOS می‌پردازد. آخرین روش‌های مهندسی کرنش، ادغام مواد برای افزایش تحرک، پردازش ترانزیستور در مقیاس نانو و ادغام CMOS با اجزای فوتونی را پوشش می‌دهد. نگاهی به تکامل فناوری CMOS، از جمله منشاء فن آوری، وضعیت فعلی و احتمالات آینده

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

CMOS Past, Present and Future provides insight from the basics, to the state-of-the-art of CMOS processing and electrical characterization, including the integration of Group IV semiconductors-based photonics. The book goes into the pitfalls and opportunities associated with the use of hetero-epitaxy on silicon with strain engineering and the integration of photonics and high-mobility channels on a silicon platform. It begins with the basic definitions and equations, but extends to present technologies and challenges, creating a roadmap on the origins of the technology and its evolution to the present, along with a vision for future trends. The book examines the challenges and opportunities that materials beyond silicon provide, including a close look at high-k materials and metal gate, strain engineering, channel material and mobility, and contacts. The book's key approach is on characterizations, device processing and electrical measurements. Addresses challenges and opportunities for the use of CMOS Covers the latest methods of strain engineering, materials integration to increase mobility, nano-scaled transistor processing, and integration of CMOS with photonic components Provides a look at the evolution of CMOS technology, including the origins of the technology, current status and future possibilities

فهرست مطالب

Content: Intro
 Title page
 Table of Contents
 Copyright
 Contributors
 Preface
 Acknowledgments
 1: Basics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
 Abstract
 1.1 Introduction
 1.2 Basics of MOSFET's operation
 1.3 Figures of merit of MOSFETs
 1.4 Evolution of the MOSFET structure
 2: Scaling and evolution of device architecture
 Abstract
 2.1 Introduction
 2.2 Dimension and architectural scaling
 2.3 Lithography for downscaling
 2.4 Electron-beam lithography (EBL)
 2.5 Strain engineering
 2.6 Impact of scaling
 2.7 Beyond CMOS and beyond Si CMOS
 3: Strain engineering
 Abstract. 7.6 Summary8: Advanced interconnect technology and reliability
 Abstract
 8.1 Introduction
 8.2 Copper interconnect integration
 8.3 Low-k dielectric characteristics and classification
 8.4 Copper interaction with silicon and dielectrics
 8.5 Metal diffusion barriers
 8.6 Reliability of copper metallization
 8.7 Reliability of advanced intermetal dielectrics
 8.8 Reliability statistics and failure models
 8.9 The future of interconnect: beyond Cu and low-k
 8.10 Summary
 Final words
 Acronyms
 Index.