دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Henry Radamson, Eddy Simoen, Jun Luo, Chao Zhao سری: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials ISBN (شابک) : 0081021399, 9780081021392 ناشر: Woodhead Publishing سال نشر: 2018 تعداد صفحات: 0 زبان: English فرمت فایل : EPUB (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 28 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب CMOS گذشته، حال و آینده: نیمه هادی ها، الکترونیک، برق و الکترونیک، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، علم مواد، مواد و علم مواد، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، کتاب های درسی جدید، مستعمل و اجاره، بازرگانی و مالی، ارتباطات، علوم کامپیوتر و روزنامه نگاری، آموزش و پرورش، کامپیوتر علوم انسانی، حقوق، پزشکی و علوم بهداشتی، مرجع، علوم و ریاضیات، علوم اجتماعی، آمادگی آزمون و راهنمای مطالعه، بوتیک تخصصی
در صورت تبدیل فایل کتاب CMOS Past, Present and Future به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب CMOS گذشته، حال و آینده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
CMOS گذشته، حال و آینده بینشی از اصول اولیه تا پیشرفته ترین پردازش CMOS و خصوصیات الکتریکی، از جمله ادغام فوتونیک مبتنی بر نیمه هادی های گروه IV را ارائه می دهد. این کتاب به مشکلات و فرصتهای مرتبط با استفاده از هترو-اپیتاکسی روی سیلیکون با مهندسی کرنش و ادغام فوتونیک و کانالهای با تحرک بالا بر روی یک پلت فرم سیلیکونی میپردازد. این کتاب با تعاریف و معادلات اساسی آغاز میشود، اما به فنآوریها و چالشهای کنونی گسترش مییابد، و نقشهای را در مورد منشأ فناوری و تکامل آن تا کنون، همراه با چشماندازی برای روندهای آینده ایجاد میکند.
کتاب. چالشها و فرصتهایی را که مواد فراتر از سیلیکون فراهم میکنند، بررسی میکند، از جمله نگاهی دقیق به مواد با کیفیت بالا و دروازههای فلزی، مهندسی کرنش، مواد کانال و تحرک، و تماسها. رویکرد کلیدی این کتاب بر روی خصوصیات، پردازش دستگاه و اندازهگیریهای الکتریکی است.
CMOS Past, Present and Future provides insight from the basics, to the state-of-the-art of CMOS processing and electrical characterization, including the integration of Group IV semiconductors-based photonics. The book goes into the pitfalls and opportunities associated with the use of hetero-epitaxy on silicon with strain engineering and the integration of photonics and high-mobility channels on a silicon platform. It begins with the basic definitions and equations, but extends to present technologies and challenges, creating a roadmap on the origins of the technology and its evolution to the present, along with a vision for future trends.
The book examines the challenges and opportunities that materials beyond silicon provide, including a close look at high-k materials and metal gate, strain engineering, channel material and mobility, and contacts. The book's key approach is on characterizations, device processing and electrical measurements.
Content: Intro
Title page
Table of Contents
Copyright
Contributors
Preface
Acknowledgments
1: Basics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
Abstract
1.1 Introduction
1.2 Basics of MOSFET\'s operation
1.3 Figures of merit of MOSFETs
1.4 Evolution of the MOSFET structure
2: Scaling and evolution of device architecture
Abstract
2.1 Introduction
2.2 Dimension and architectural scaling
2.3 Lithography for downscaling
2.4 Electron-beam lithography (EBL)
2.5 Strain engineering
2.6 Impact of scaling
2.7 Beyond CMOS and beyond Si CMOS
3: Strain engineering
Abstract. 7.6 Summary8: Advanced interconnect technology and reliability
Abstract
8.1 Introduction
8.2 Copper interconnect integration
8.3 Low-k dielectric characteristics and classification
8.4 Copper interaction with silicon and dielectrics
8.5 Metal diffusion barriers
8.6 Reliability of copper metallization
8.7 Reliability of advanced intermetal dielectrics
8.8 Reliability statistics and failure models
8.9 The future of interconnect: beyond Cu and low-k
8.10 Summary
Final words
Acronyms
Index.