دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Nadine Collaert (Editor)
سری:
ISBN (شابک) : 9789814364027, 9780429112836
ناشر: Jenny Stanford Publishing
سال نشر: 2012
تعداد صفحات: 444
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 17 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب CMOS Nanoelectronics: دستگاهها، معماریها و برنامههای نوآورانه: علوم زیستی، بیوتکنولوژی، مهندسی و فناوری، علم مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب CMOS Nanoelectronics: Innovative Devices, Architectures, and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب CMOS Nanoelectronics: دستگاهها، معماریها و برنامههای نوآورانه نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب یکی از مهم ترین معماری های دستگاه را که به طور گسترده برای گسترش مقیاس ترانزیستور مورد تحقیق قرار گرفته است، پوشش می دهد: FinFET. با شروع تئوری، این کتاب مزایا و چالش های یکپارچه سازی معماری این دستگاه را مورد بحث قرار می دهد. این به طور مفصل به موضوعاتی مانند الگوسازی بالههای با چگالی بالا، طراحی پشته دروازه و مهندسی منبع/زهکشی میپردازد که چالشهایی برای ادغام FinFETها در نظر گرفته شدهاند. این کتاب همچنین به جنبههای مرتبط با مدار میپردازد، از جمله تأثیر تغییرپذیری بر طراحی SRAM، طراحی ESD و عملکرد high-T. این یک مفهوم جدید دستگاه را مورد بحث قرار می دهد: FET نانوسیم بدون اتصال.
This book covers one of the most important device architectures that have been widely researched to extend the transistor scaling: FinFET. Starting with theory, the book discusses the advantages and the integration challenges of this device architecture. It addresses in detail the topics such as high-density fin patterning, gate stack design, and source/drain engineering, which have been considered challenges for the integration of FinFETs. The book also addresses circuit-related aspects, including the impact of variability on SRAM design, ESD design, and high-T operation. It discusses a new device concept: the junctionless nanowire FET.
Content: General Introduction Part 1: Integration of Multigate Devices (FinFET) Introduction to Multigate Devices and Integration Challenges Patterning Requirements for Multigate Devices Gate Stack Design Source/Drain Design: Reduction of Parasitic Resistance Part 2: Circuit-Related Aspects Variability and Its Implications for FinFET SRAM High T Performance of FinFET ESD and Multigate Devices Part 3: Beyond FinFET The Junctionless Nanowire Transistor Transport in Nanostructures Transport Spectroscopy of a Single Dopant in a Gated Silicon Nanowire Thermionic Theory as a Tool for the Study of Transport in Doped and Undoped Si n-FINFETs Scaled Up to the Full Body Inversion Limit