Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications

تاثیر جدیدترین پیشرفت‌ها در فناوری خوشه‌ای SIMS را بررسی می‌کند

طیف‌سنجی جرمی یونی ثانویه خوشه‌ای (SIMS) یک تکنیک طیف‌سنجی جرمی تصویربرداری با وضوح فضایی بالا است که می‌توان از آن استفاده کرد. برای توصیف ساختار شیمیایی سه بعدی در سیستم های آلی و مولکولی پیچیده. این با استفاده از یک منبع یون خوشه ای برای پاشیدن مواد واجذب از سطح نمونه جامد کار می کند. قبل از ظهور منبع خوشه‌ای، SIMS در توانایی خود برای توصیف نمونه‌های نرم در نتیجه آسیب ناشی از منبع اتمی به شدت محدود بود. نمونه‌های مولکولی اساساً در طول تجزیه و تحلیل نابود شدند و حساسیت روش را محدود کردند و از پروفایل عمق ترکیبی جلوگیری کردند. استفاده از فناوری‌های جدید و نوظهور پرتو یون خوشه‌ای این محدودیت‌ها را از بین برده است و محققان را قادر می‌سازد تا وارد حوزه‌های جدیدی شوند که زمانی با روش SIMS دست نیافتنی تلقی می‌شدند.

با مشارکت محققان برجسته طیف‌سنجی جرمی در سراسر جهان، طیف‌سنجی جرمی یونی ثانویه خوشه‌ای: اصول و کاربردها آخرین پیشرفت‌ها در ابزار دقیق را توصیف می‌کند و به بهترین شیوه‌ها در تجزیه و تحلیل خوشه‌ای SIMS می‌پردازد. این به عنوان مجموعه ای از دانش در مورد سطوح آلی و پلیمری و خصوصیات عمیق با استفاده از پرتوهای یون خوشه ای عمل می کند. این موضوعات از مبانی و تئوری SIMS خوشه‌ای گرفته تا شیمی‌های مهم پشت موفقیت این تکنیک و همچنین کاربردهای گسترده این فناوری را پوشش می‌دهد. نمونه‌هایی از موضوعات تحت پوشش عبارتند از:

• تئوری و مدل‌سازی Cluster SIMS
• انواع منبع یون خوشه‌ای و انتظارات عملکرد
• پرتوهای یون خوشه‌ای برای آزمایش‌های تحلیل سطح
< li>پروفایل عمق مولکولی و تجزیه و تحلیل سه بعدی با پرتوهای یون خوشه ای
• کاربردهای تخصصی از تجزیه و تحلیل نمونه های بیولوژیکی تا تجزیه و تحلیل نیمه هادی ها/فلزات
• چالش ها و چشم اندازهای آینده برای SIMS خوشه ای

این کتاب در نظر گرفته شده است که برای هر دانشمندی، از ابتدا تا سطح پیشرفته، با ارقام فراوان برای کمک به درک بهتر مفاهیم و فرآیندهای پیچیده، مفید باشد. علاوه بر این، هر فصل با یک مجموعه ارجاع دقیق به ادبیات اولیه پایان می‌یابد و تحقیقات بیشتر در مورد موضوعات فردی را در صورت تمایل تسهیل می‌کند. طیف‌سنجی جرمی یون ثانویه خوشه‌ای: اصول و کاربردها برای هر محققی در زمینه‌های آنالیز سطحی و/یا تصویربرداری طیف‌سنجی جرمی ضروری است. محتوا:
فصل 1 مقدمه‌ای بر یون ثانویه خوشه‌ای طیف سنجی جرمی (صفحات 1-11): کریستین ام. ماهونی و گرگ گیلن
فصل 2 خوشه SIMS مواد آلی: بینش نظری (صفحات 13-55): آرنو دلکورت، اسکار آ. رسترپو و بارتلومیج سی
فصل 3 منابع یونی مورد استفاده برای طیف سنجی جرمی یونی ثانویه (صفحات 57-75): Albert J. Fahey
فصل 4 تجزیه و تحلیل سطحی مواد آلی با منابع یون اولیه چند اتمی (صفحات 77-116): کریستین ام. ماهونی
فصل 5 نمایه سازی عمق مولکولی با پرتوهای یونی خوشه ای (صفحات 117-205): کریستین ام. ماهونی و آندریاس وچر
فصل 6 سه بعدی؟ تصویربرداری سه بعدی با پرتوهای یونی خوشه ای (صفحات 207-246): آندریاس ووچر، گریگوری ال. فیشر و کریستین ام. ماهونی
فصل 7 طیف سنجی جرمی یونی ثانویه خوشه ای (SIMS) برای نمایه سازی عمق نیمه هادی ها و فلزات (صفحات 247-268): گرگ گیلن و جو بنت
فصل 8 خوشه TOF?SIMS تصویربرداری و تصویربرداری خصوصیات مواد بیولوژیکی (صفحات 269-312): جان ویکرمن و نیک وینوگراد
فصل 9 چالش ها و چشم اندازهای آینده خوشه SIMS (صفحات 313-327): پیتر ویلیامز و کریستین ام. ماهونی

Explores the impact of the latest breakthroughs in cluster SIMS technology

Cluster secondary ion mass spectrometry (SIMS) is a high spatial resolution imaging mass spectrometry technique, which can be used to characterize the three-dimensional chemical structure in complex organic and molecular systems. It works by using a cluster ion source to sputter desorb material from a solid sample surface. Prior to the advent of the cluster source, SIMS was severely limited in its ability to characterize soft samples as a result of damage from the atomic source. Molecular samples were essentially destroyed during analysis, limiting the method's sensitivity and precluding compositional depth profiling. The use of new and emerging cluster ion beam technologies has all but eliminated these limitations, enabling researchers to enter into new fields once considered unattainable by the SIMS method.

With contributions from leading mass spectrometry researchers around the world, Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications describes the latest breakthroughs in instrumentation, and addresses best practices in cluster SIMS analysis. It serves as a compendium of knowledge on organic and polymeric surface and in-depth characterization using cluster ion beams. It covers topics ranging from the fundamentals and theory of cluster SIMS, to the important chemistries behind the success of the technique, as well as the wide-ranging applications of the technology. Examples of subjects covered include:

• Cluster SIMS theory and modeling
• Cluster ion source types and performance expectations
• Cluster ion beams for surface analysis experiments
• Molecular depth profiling and 3-D analysis with cluster ion beams
• Specialty applications ranging from biological samples analysis to semiconductors/metals analysis
• Future challenges and prospects for cluster SIMS

This book is intended to benefit any scientist, ranging from beginning to advanced in level, with plenty of figures to help better understand complex concepts and processes. In addition, each chapter ends with a detailed reference set to the primary literature, facilitating further research into individual topics where desired. Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications is a must-have read for any researcher in the surface analysis and/or imaging mass spectrometry fields.Content:
Chapter 1 An Introduction to Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry (Cluster SIMS) (pages 1–11): Christine M. Mahoney and Greg Gillen
Chapter 2 Cluster SIMS of Organic Materials: Theoretical Insights (pages 13–55): Arnaud Delcorte, Oscar A. Restrepo and Bartlomiej Czerwinski
Chapter 3 Ion Sources Used for Secondary Ion Mass Spectrometry (pages 57–75): Albert J. Fahey
Chapter 4 Surface Analysis of Organic Materials with Polyatomic Primary Ion Sources (pages 77–116): Christine M. Mahoney
Chapter 5 Molecular Depth Profiling with Cluster Ion Beams (pages 117–205): Christine M. Mahoney and Andreas Wucher
Chapter 6 Three?Dimensional Imaging with Cluster Ion Beams (pages 207–246): Andreas Wucher, Gregory L. Fisher and Christine M. Mahoney
Chapter 7 Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) For Semiconductor and Metals Depth Profiling (pages 247–268): Greg Gillen and Joe Bennett
Chapter 8 Cluster TOF?SIMS Imaging and the Characterization of Biological Materials (pages 269–312): John Vickerman and Nick Winograd
Chapter 9 Future Challenges and Prospects of Cluster SIMS (pages 313–327): Peter Williams and Christine M. Mahoney