دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [Illustrated]
نویسندگان: Hiroyasu Saka
سری:
ISBN (شابک) : 9814749168, 9789814749169
ناشر: World Scientific Publishing Co
سال نشر: 2016
تعداد صفحات: 400
[373]
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 50 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Classical Theory of Crystal Dislocations: From Iron to Gallium Nitride به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نظریه کلاسیک نابجایی کریستال: از آهن تا نیترید گالیم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کتاب از دو بخش تشکیل شده است: قسمت 1 متن استاندارد تئوری نابجایی است. تا حد امکان از ریاضیات پرهیز شود. بخش 2 کاربرد تئوری نابجایی را توصیف می کند که شامل خواص مکانیکی (شامل وابستگی معکوس مقاومت به دما) و نابجایی در مواد کاربردی مانند Si، GaN و SiC و نابجایی در یک کریستال نازک مانند یک لایه همپایی است. این همان چیزی است که مدتهاست در بین محققان صنعت پیش بینی شده است. این کتاب شامل حدود 330 تصویر (بیشتر اصل توسط نویسنده) و تصاویری است که نویسنده با آزمایش درجا در یک میکروسکوپ الکترونی عبوری در 50 سال گذشته به دست آورده است. این کتاب شامل تمرینهای زیادی است که نویسنده آنها را زمانی که در گروه علوم و مهندسی مواد دانشگاه ناگویا تدریس میکرد برای برانگیختن علایق آنها در تئوری نابجایی مفید دانست.
The book consists of two parts: Part 1 is a standard text of dislocation theory. Mathematics is avoided as much as possible. Part 2 describes application of dislocation theory, which includes mechanical properties (including the inverse temperature dependence of strength) and dislocations in functional materials such as Si, GaN and SiC and dislocations in a thin crystal such as an epitaxial layer. This is what has been long anticipated among researchers in industry. The book contains about 330 illustrations (mostly originals by the author) and the pictures obtained by the author by means of in-situ experiment in a transmission electron microscope over the past 50 years. This book includes many exercises, which the author found useful when he was teaching in Department of Materials Science and Engineering of Nagoya University to stimulate their interests in dislocation theory.