دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: علم شیمی ویرایش: 1 نویسندگان: Yannick Le Tiec سری: ISTE ISBN (شابک) : 1848214367, 9781848214361 ناشر: Wiley-ISTE سال نشر: 2013 تعداد صفحات: 381 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب شیمی در میکروالکترونیک: شیمی و صنایع شیمیایی
در صورت تبدیل فایل کتاب Chemistry in Microelectronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب شیمی در میکروالکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
میکروالکترونیک دنیای پیچیدهای است که در آن بسیاری از علوم برای ایجاد نانو اشیاء نیاز به همکاری دارند: ما به تخصص در الکترونیک، میکروالکترونیک، فیزیک، اپتیک و مکانیک نیاز داریم تا به شیمی، الکتروشیمی و همچنین زیستشناسی، بیوشیمی و پزشکی بپردازیم. شیمی در بسیاری از زمینهها از مواد، مواد شیمیایی، گازها، مایعات یا نمکها، اصول اولیه واکنشها و تعادل گرفته تا تمیز کردن بهینه سطوح و حکاکی انتخابی لایههای خاص درگیر است. علاوه بر این، در دهه های اخیر، اندازه ترانزیستورها به شدت کاهش یافته است در حالی که عملکرد مدارها افزایش یافته است. این کتاب شامل پنج فصل است که مواد شیمیایی و توالی های مورد استفاده در پردازش، از تمیز کردن تا حکاکی، نقش و تأثیر خلوص آنها را به همراه مواد استفاده شده در "Front End Of The Line" که با قلب و عملکرد فرد مطابقت دارد، تشکیل شده است. ترانزیستورها، سپس به سمت "انتهای پشت خط" که مربوط به اتصال همه ترانزیستورها است می رویم. در نهایت، نیاز به عملکرد خاص همچنین به دانش کلیدی در مورد درمانهای سطحی و مدیریت شیمیایی نیاز دارد تا امکان کاربردهای جدید فراهم شود.
محتوا
1. شیمی در «انتهای خط» (FEOL): سپردهها، پشتههای دروازه،
اپیتاکسی و مخاطبین، فرانسوا مارتین، ژان میشل هارتمن، ورونیک
کارون و یانیک لو تیک.
2. شیمی در اتصالات، وینسنت ژوزوم، پل هانری هاومسر، کارول
پرنل، جفری باترباگ، سیلوین مایترژان و دیدیه لوئیس.
3. شیمی آماده سازی سطح مرطوب: تمیز کردن، اچ کردن و خشک کردن،
یانیک لی تیک و مارتین ناتر.
4. استفاده و مدیریت سیالات شیمیایی در میکروالکترونیک، کریستین
گوتچالک، کوین مکلافلین، جولی کرن، کاترین پین و پاتریک
والنتی.
5. عملکرد سطحی برای میکرو و نانوسیستم ها: کاربرد برای حسگرهای
زیستی، آنتوان هوانگ، ژیل مارچند، گیوم نونگلاتون، ایزابل
تکسیر-نوگ و فرانسوا وینت.
درباره نویسندگان
یانیک لی تیک او یک کارشناس فنی در CEA-Leti، Minatec از سال 2002 است. او یک مأمور CEA-Leti در IBM، آلبانی (NY) برای توسعه گره پیشرفته CMOS 14 نانومتری و فناوری FDSOI است. او سمتهای فنی مختلفی از خط آزمایشی پیشرفته SOI CMOS 300 میلیمتری تا وظایف مختلف در SOITEC برای توسعه پیشرفته ویفر و بعداً در INES برای بهینهسازی افزایش و بازده سلولهای خورشیدی داشت. او از سال 2008 بخشی از کارگروه فنی ITRS Front End در ITRS بوده است.
Microelectronics is a complex world where many sciences need to collaborate to create nano-objects: we need expertise in electronics, microelectronics, physics, optics and mechanics also crossing into chemistry, electrochemistry, as well as biology, biochemistry and medicine. Chemistry is involved in many fields from materials, chemicals, gases, liquids or salts, the basics of reactions and equilibrium, to the optimized cleaning of surfaces and selective etching of specific layers. In addition, over recent decades, the size of the transistors has been drastically reduced while the functionality of circuits has increased. This book consists of five chapters covering the chemicals and sequences used in processing, from cleaning to etching, the role and impact of their purity, along with the materials used in “Front End Of the Line” which corresponds to the heart and performance of individual transistors, then moving on to the “Back End Of the Line” which is related to the interconnection of all the transistors. Finally, the need for specific functionalization also requires key knowledge on surface treatments and chemical management to allow new applications.
Contents
1. Chemistry in the “Front End of the Line” (FEOL): Deposits,
Gate Stacks, Epitaxy and Contacts, François Martin,
Jean-Michel Hartmann, Véronique Carron and Yannick Le
Tiec.
2. Chemistry in Interconnects, Vincent Jousseaume, Paul-Henri
Haumesser, Carole Pernel, Jeffery Butterbaugh, Sylvain
Maîtrejean and Didier Louis.
3. The Chemistry of Wet Surface Preparation: Cleaning,
Etching and Drying, Yannick Le Tiec and Martin Knotter.
4. The Use and Management of Chemical Fluids in
Microelectronics, Christiane Gottschalk, Kevin Mclaughlin,
Julie Cren, Catherine Peyne and Patrick Valenti.
5. Surface Functionalization for Micro- and Nanosystems:
Application to Biosensors, Antoine Hoang, Gilles Marchand,
Guillaume Nonglaton, Isabelle Texier-Nogues and Francoise
Vinet.
About the Authors
Yannick Le Tiec is a technical expert at CEA-Leti, Minatec since 2002. He is a CEA-Leti assignee at IBM, Albany (NY) to develop the advanced 14 nm CMOS node and the FDSOI technology. He held different technical positions from the advanced 300 mm SOI CMOS pilot line to different assignments within SOITEC for advanced wafer development and later within INES to optimize solar cell ramp-up and yield. He has been part of the ITRS Front End technical working group at ITRS since 2008.
Chemistry in Microelectronics......Page 2
Copyright\r......Page 3
Table of Contents......Page 4
Preface......Page 8
1.1. Introduction......Page 12
1.2.1.Generalities......Page 14
1.2.2.Silicon nitriding processes......Page 15
1.2.3.The introduction of the High K/metal gate stacks......Page 17
1.3.1.Generalities......Page 30
1.3.2.A few basic ideas about epitaxy......Page 31
1.3.3.A few basic ideas about epitaxy......Page 35
1.3.4.Low-temperature Si and SiGe growth: the comparison of three precursors silane, disilane and dichlorosilane......Page 41
1.3.5.Integration and conclusion......Page 47
1.4.1.Generalities......Page 49
1.4.2.Introduction to the conventional NiSi process for sub-90 nm nodes......Page 51
1.4.3.Implications for the SALICIDE process of the recent technology evolutions......Page 62
1.5. General conclusion......Page 68
1.6. List of Abbreviations......Page 69
1.7. Bibliography......Page 70
2.1. Introduction......Page 91
2.2.1.What conditions are required for an interconnect?......Page 93
2.2.2.The main technological advancements......Page 100
2.3.1.Dielectric generalities......Page 109
2.3.2.Interline dielectrics......Page 115
2.3.3.Barrier dielectrics......Page 127
2.4. Deposition and properties of metal layers for interconnect structures......Page 132
2.4.1.The manufacture of interconnect structures......Page 133
2.4.2.The chemistry of materials and functional properties......Page 136
2.4.3.The chemistry of interfaces......Page 139
2.4.4.The chemistry of metal deposition processes......Page 140
2.5.1.Introduction......Page 154
2.5.2.Impact of corrosion in microelectronics......Page 156
2.5.3.Electrochemical diagnostic tools......Page 161
2.5.4.Equipment for cleaning copper interconnections......Page 166
2.6. General conclusions and perspectives......Page 171
2.7. List of Abbreviations......Page 174
2.8. Bibliography......Page 175
3.1. Introduction......Page 197
3.2.1.Ammonium hydrogen peroxide mixture APM......Page 198
3.2.2.Hydrochloric acid hydrogen peroxide mixture HPM......Page 204
3.2.3.Sulfuric acid hydrogen peroxide mixture SPM......Page 208
3.3.1.Hydrofluoric acid HF......Page 212
3.3.2.Buffered oxide etchant or BOE HF/NH4F......Page 219
3.4.1.Ultrapure water UPW......Page 224
3.4.2.Drying......Page 231
3.5. Conclusion......Page 234
3.7. Bibliography......Page 235
4.1. Ultrapure water......Page 242
4.1.1.Parameters of UPW......Page 243
4.1.2. UPW system unit operations......Page 246
4.1.3. Fundamentals......Page 251
4.2. Gases for semiconductors......Page 260
4.2.1. Main gases used in the semiconductor fabrication process......Page 261
4.2.3.Implementation of gases used in the manufacturing of semiconductors......Page 266
4.3. Dissolved gases......Page 277
4.3.1. DI-O3......Page 278
4.3.2. DI-CO2......Page 285
4.3.3. DO......Page 289
4.4. High-purity chemicals......Page 292
4.4.1.Techniques of purification for high-purity chemicals......Page 294
4.4.2. Handling systems for high-purity chemicals......Page 296
4.5. Waste management......Page 299
4.5.1.Emission guidelines......Page 300
4.5.2. Liquid waste treatment ? main technologies......Page 302
4.5.3. Gas abatement systems......Page 307
4.5.4. Recycling and reusing......Page 309
4.6. List of Abbreviations......Page 310
4.7. Bibliography......Page 312
5.1. Introduction......Page 318
5.2. Materials......Page 319
5.2.1. Metal oxides and semiconductors......Page 320
5.2.2. Carbon nanotubes and silicon nanowires......Page 322
5.2.3. Metals......Page 323
5.2.4. Polymers......Page 324
5.2.5. Paper and tissues......Page 325
5.3.1. Activation and cleaning treatments......Page 326
5.3.2. Silanization processes......Page 329
5.3.3. Sol-gel and polymer deposition techniques......Page 333
5.3.4. Localization processes......Page 334
5.4.1. Adsorption and covalent grafting......Page 341
5.4.2. Chemical functions for covalent grafting......Page 343
5.4.3. Applications and examples......Page 346
5.4.4. The chemical tool box......Page 348
5.5.1. Example of in vitro application......Page 349
5.5.2. Example of in......Page 351
5.5.3. Detection of analytes......Page 353
5.6. Conclusion......Page 357
5.8. Bibliography......Page 358
List of Authors......Page 370
Index......Page 372