دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: علم شیمی ویرایش: نویسندگان: John E.J. Schmitz سری: Materials Science and Process Technology Series ISBN (شابک) : 0815512880, 9780815516408 ناشر: William Andrew سال نشر: 1993 تعداد صفحات: 253 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Chemical Vapor Deposition of Tungsten and Tungsten Silicides for VLSI/ ULSI Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رسوب شیمیایی بخار از سیلیکاتهای تنگستن و تنگستن برای کاربردهای VLSI / ULSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این مونوگراف ادبیات مربوطه و مرتبط در مورد CVD پتویی و انتخابی تنگستن (W) را در یک حجم قابل مدیریت خلاصه میکند. این کتاب پیشزمینههای لازم را برای مطرح کردن، تنظیم دقیق و حفظ موفقیتآمیز فرآیند CVD-W در یک مجموعه تولید در اختیار خواننده قرار میدهد. شیمی رسوب مواد، تجهیزات، فناوری فرآیند، پیشرفتها و کاربردها شرح داده شدهاند.
This monograph condenses the relevant and pertinent literature on blanket and selective CVD of tungsten (W) into a single manageable volume. The book supplies the reader with the necessary background to bring up, fine tune, and successfully maintain a CVD-W process in a production set-up. Materials deposition chemistry, equipment, process technology, developments, and applications are described.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TUNGSTEN AND TUNGSTEN SILICIDES......Page 4
MATERIALS SCIENCE AND PROCESS TECHNOLOGY SERIES......Page 8
PREFACE......Page 10
CONTENTS......Page 14
CHAPTER I INTRODUCTION......Page 18
CHAPTER II THE BLANKET TUNGSTEN APPROACH......Page 27
CHAPTER III THE SELECTIVE TUNGSTEN APPROACH......Page 68
CHAPTER IV BLANKET VERSUS SELECTIVE TUNGSTEN......Page 104
CHAPTER V TUNGSTEN AS INTERCONNECT MATERIAL......Page 112
CHAPTER VI THE CHEMISTRY OF CVD·W AND PROPERTIES OF TUNGSTEN......Page 127
CHAPTER VII THE DEPOSITION EQUIPMENT......Page 140
CHAPTER VIII MISCELLANEOUS......Page 167
CHAPTER IX CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TUNGSTEN SILICIDE......Page 188
REFERENCES......Page 226
AUTHOR INDEX......Page 245
SUBJECT INDEX......Page 248
APPENDIX. UNIT CELLS OF W AND WSi2......Page 252