ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion

دانلود کتاب عیوب نیمه هادی شارژ شده: ساختار، ترمودینامیک و انتشار

Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion

مشخصات کتاب

Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Engineering Materials and Processes 
ISBN (شابک) : 9781848820586, 9781848820593 
ناشر: Springer-Verlag London 
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 303 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 44,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب عیوب نیمه هادی شارژ شده: ساختار، ترمودینامیک و انتشار: فیزیک حالت جامد و طیف سنجی، مواد نوری و الکترونیکی، مکانیک پیوسته و مکانیک مواد، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، ترمودینامیک مهندسی، پدیده های حمل و نقل



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 13


در صورت تبدیل فایل کتاب Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب عیوب نیمه هادی شارژ شده: ساختار، ترمودینامیک و انتشار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب عیوب نیمه هادی شارژ شده: ساختار، ترمودینامیک و انتشار



خواص مفید فن آوری یک جامد اغلب به انواع و غلظت عیوب موجود در آن بستگی دارد. جای تعجب نیست که عیوب در نیمه هادی ها برای سال ها مورد مطالعه قرار گرفته اند، در بسیاری از موارد با هدف کنترل رفتار آنها از طریق اشکال مختلف "مهندسی نقص". به عنوان مثال، به طور عمده، شارژ به طور قابل توجهی بر غلظت کل عیوب تأثیر می گذارد. برای واسطه گری پدیده هایی مانند انتشار حالت جامد در دسترس هستند. عیوب سطحی نقش مهمی در انتقال جرم سطحی در طی مراحل پردازش در دمای بالا از جمله رسوب لایه همپایی، هموارسازی انتشار در جریان مجدد و تشکیل نانوساختار در ساخت دستگاه حافظه دارند.

نقص نیمه هادی شارژ شده

EM>وضعیت دانش فعلی را در مورد خواص عیوب یونیزه که می‌تواند بر رفتار ترانزیستورهای پیشرفته، دستگاه‌های فعال عکس، کاتالیزورها و حسگرها تأثیر بگذارد، توضیح می‌دهد.

ویژگی‌ها:

  • گروه IV، III-V و نیمه هادی های اکسیدی.
  • عیب های درونی و بیرونی; و
  • عیب های نقطه ای و همچنین جفت ها، مجتمع ها و خوشه های نقص.

یک مرجع حیاتی برای دانشمندان مواد، دانشمندان سطح، مهندسان برق و فیزیکدانان حالت جامد که به دنبال رویکرد به موضوع شارژ نقص از دیدگاه مهندسی شیمی یکپارچه هستند. . محققان و متخصصان صنعتی به طور یکسان محتوای آن را برای بهینه‌سازی دستگاه و فرآیند ارزشمند می‌دانند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The technologically useful properties of a solid often depend upon the types and concentrations of the defects it contains. Not surprisingly, defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view towards controlling their behavior through various forms of "defect engineering." For example, in the bulk, charging significantly affects the total concentration of defects that are available to mediate phenomena such as solid-state diffusion. Surface defects play an important role in mediating surface mass transport during high temperature processing steps such as epitaxial film deposition, diffusional smoothing in reflow, and nanostructure formation in memory device fabrication.

Charged Semiconductor Defects details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behavior of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Features:

  • Group IV, III-V, and oxide semiconductors;
  • Intrinsic and extrinsic defects; and,
  • Point defects, as well as defect pairs, complexes and clusters.

A crucial reference for materials scientists, surface scientists, electrical engineers, and solid-state physicists looking to approach the topic of defect charging from an integrated chemical engineering perspective. Researchers and industrial practitioners alike will find its content invaluable for device and process optimization.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xiv
Introduction....Pages 1-4
Fundamentals of Defect Ionization and Transport....Pages 5-37
Experimental and Computational Characterization....Pages 39-61
Trends in Charged Defect Behavior....Pages 63-72
Intrinsic Defects: Structure....Pages 73-130
Intrinsic Defects: Ionization Thermodynamics....Pages 131-194
Intrinsic Defects: Diffusion....Pages 195-232
Extrinsic Defects....Pages 233-289
Back Matter....Pages 291-294




نظرات کاربران