دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: انرژی ویرایش: نویسندگان: Fei (Fred) Wang, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones سری: IET Energy Engineering 128 ISBN (شابک) : 9781785614910, 1785614916 ناشر: The Institution of Engineering and Technology سال نشر: 2018 تعداد صفحات: 350 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 79 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
در قلب مبدل های الکترونیک قدرت مدرن، دستگاه های سوئیچینگ نیمه هادی قدرت قرار دارند. ظهور دستگاه های نیمه هادی باندگپ گسترده (WBG)، از جمله کاربید سیلیکون و نیترید گالیم، نوید مبدل های الکترونیک قدرت با راندمان بالاتر، اندازه کوچکتر، وزن سبک تر و هزینه کمتر نسبت به مبدل های با استفاده از دستگاه های مبتنی بر سیلیکون را می دهد. با این حال، دستگاههای WBG چالشهای جدیدی را برای طراحی مبدل ایجاد میکنند و به خصوصیات دقیقتری نیاز دارند، به ویژه به دلیل سرعت سوئیچینگ سریع و نیاز شدیدتر به حفاظت. خصوصیات دستگاه های نیمه هادی قدرت باندگپ گسترده روش های جامعی را با مثال هایی برای توصیف این دسته مهم از دستگاه های قدرت ارائه می دهد. پس از مقدمه، کتاب خصوصیات استاتیک پالس را پوشش می دهد. مشخصه ظرفیت اتصال. اصول شخصیت پردازی پویا؛ درایو دروازه برای توصیف پویا. طراحی چیدمان و مدیریت انگلی؛ طراحی حفاظتی برای تست دو پالس؛ اندازه گیری و پردازش داده ها برای توصیف پویا. بررسی بحث متقابل؛ تاثیر سیستم سه فاز؛ و ملاحظات توپولوژی
At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established siliconbased devices. However, WBG devices pose new challenges for converter design and require more careful characterization, in particular due to their fast switching speed and more stringent need for protection. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices presents comprehensive methods with examples for the characterization of this important class of power devices. After an introduction, the book covers pulsed static characterization; junction capacitance characterization; fundamentals of dynamic characterization; gate drive for dynamic characterization; layout design and parasitic management; protection design for double pulse test; measurement and data processing for dynamic characterization; cross-talk consideration; impact of three-phase system; and topology considerations.
Chapter 1: IntroductionChapter 2: Pulsed static characterizationChapter 3: Junction capacitance characterizationChapter 4: Fundamentals of dynamic characterizationChapter 5: Gate drive for dynamic characterizationChapter 6: Layout design and parasitic managementChapter 7: Protection design for double pulse testChapter 8: Measurement and data processing for dynamic characterizationChapter 9: Cross-talk considerationChapter 10: Impact of three-phase systemChapter 11: Topology considerationAppendix A: Recommended equipment and components list for DPT setupAppendix B: Data processing code for dynamic characterization