دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Suranjana Sengupta (auth.)
سری: Springer Theses
ISBN (شابک) : 1441981977, 9781441981974
ناشر: Springer-Verlag New York
سال نشر: 2011
تعداد صفحات: 88
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 974 کیلوبایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مشخصههای انتشار تراهرتز از آنتنهای رسانای نوری مبتنی بر Ga0.69In0.31As با مقاومت بالا با آهن دوپ شده: طیف سنجی و میکروسکوپ، نیمه هادی ها، فناوری لیزر، فوتونیک، مواد نوری و الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Characterization of Terahertz Emission from High Resistivity Fe-doped Bulk Ga0.69In0.31As Based Photoconducting Antennas به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مشخصههای انتشار تراهرتز از آنتنهای رسانای نوری مبتنی بر Ga0.69In0.31As با مقاومت بالا با آهن دوپ شده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
علم و فناوری تراهرتز به دلیل کاربرد آن در طیف گسترده ای از زمینه ها که با توسعه منابع و آشکارسازهای جدید و بهبود یافته تابش تراهرتز امکان پذیر شده است، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. این کتاب بر توسعه و توصیف یکی از این منابع تمرکز دارد - یعنی آنتن رسانای نوری با دیافراگم نیمه بزرگ (PC) ساخته شده بر روی انبوه Ga0.69در0.31به عنوان بستر. . تحرک حامل فوق سریع بالا، مقاومت بالا، و طول عمر حامل زیر پیکسل ثانیه همراه با فاصله باند کم، Ga0.69In0.31 را به عنوان یک کاندید عالی برای امیتر THz مبتنی بر آنتن رایانه شخصی که میتواند برانگیخته شود تبدیل کرده است. توسط سیستم های لیزری چند واتی فشرده مبتنی بر Yb برای انتشار THz با قدرت بالا. هدف این تحقیق ارزیابی تأثیر خواص فیزیکی یک آنتن با دیافراگم نیمه بزرگ Ga0.69In0.31 بر بازده تولید THz آن است و انگیزه نهایی آن است. هدف از توسعه یک منبع تابش تراهرتز با قدرت بالا برای طیفسنجی تراهرتز دامنه زمانی و سیستمهای تصویربرداری است.
این پایاننامه دکترا توسط موسسه پلیتکنیک Rensselaer، تروی، ایالات متحده آمریکا پذیرفته شده است.
Terahertz science and technology is attracting great interest due to its application in a wide array of fields made possible by the development of new and improved terahertz radiation sources and detectors. This book focuses on the development and characterization of one such source - namely the semi-large aperture photoconducting (PC) antenna fabricated on Fe-doped bulk Ga0.69In0.31As substrate. The high ultrafast carrier mobility, high resistivity, and subpicosecond carrier lifetime along with low bandgap make Ga0.69In0.31As an excellent candidate for PC antenna based THz emitter that can be photoexcited by compact Yb-based multiwatt laser systems for high power THz emission. The research is aimed at evaluating the impact of physical properties of a semi-large aperture Ga0.69In0.31As PC antenna upon its THz generation efficiency, and is motivated by the ultimate goal of developing a high-power terahertz radiation source for time-domain terahertz spectroscopy and imaging systems.
This Doctoral Thesis has been accepted by Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, USA.
Front Matter....Pages i-x
Introduction....Pages 1-7
Generation of Sub-Picosecond Terahertz Pulses....Pages 9-30
Ultrafast Spectroscopy....Pages 31-34
Experimental Techniques....Pages 35-44
Experimental Results....Pages 45-68
Conclusions and Future Outlook....Pages 69-71
Back Matter....Pages 73-77