برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Carbon film deposition by powerful ion beams

دانلود کتاب رسوب فیلم کربن توسط پرتوهای یونی قدرتمند

مشخصات کتاب

Carbon film deposition by powerful ion beams

دسته بندی: مهندسی مکانیک
ویرایش:  
نویسندگان: Ryabchikov A.I.,  Petrov A.V.,  Polkovnikova N.M.,  Struts V.K.,  Usov Yu.P.,  Arfyev V.P  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 4 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 176 کیلوبایت

قیمت کتاب (تومان) : 45,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب رسوب فیلم کربن توسط پرتوهای یونی قدرتمند: مهندسی مکانیک و پردازش مواد، روش های پردازش با انرژی بالا

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 13

در صورت تبدیل فایل کتاب Carbon film deposition by powerful ion beams به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب رسوب فیلم کربن توسط پرتوهای یونی قدرتمند نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب رسوب فیلم کربن توسط پرتوهای یونی قدرتمند

الزیور تکنولوژی سطح و پوشش‌ها xx (2007) xxx–xxx
لایه‌های نازک کربنی را می‌توان در میکروالکترونیک، ابررساناها، باتری‌های خورشیدی، دستگاه‌های منطقی و حافظه، و برای افزایش مقاومت در برابر سایش ابزار پردازش و به عنوان مواد نانوکامپوزیت مغناطیسی برای ذخیره‌سازی اطلاعات استفاده کرد. . این مقاله مطالعه‌ای از لایه‌های نازک کربنی رسوب‌شده بر روی بسترهای سیلیکونی با استفاده از پلاسمای فرسایشی تولید شده توسط پرتوهای یونی پالس (H+--60%, C+-40%, E=500keV، τ=100ns، چگالی=8 J/cm2) ارائه می‌کند. روی اهداف گرافیکی غلظت الماس کریستالی متصل به sp3 و فازهای آمورف و کریستالی کربن با تجزیه و تحلیل پراش اشعه ایکس (XRD) تعیین شد. مشاهده شد که غلظت فاز الماس کریستالی در فیلم‌های رسوب‌شده در شرایط مختلف از 5 درصد تجاوز نمی‌کند. غلظت قابل توجهی (30-95٪) از فاز کریستالی کربن به شکل فولرن های C60 و C70 است. نشان داده شده است که غلظت فولرن ها و نسبت بین مقادیر نسبی C60 و C70 تا حد زیادی به چگالی هدف گرافیتی، شرایط رسوب فیلم کربن و بالاتر از همه به فاصله از هدف گرافیتی تا بستر سیلیکونی بستگی دارد. این فاصله میزان رسوب فیلم و درجه خنک شدن پلاسمای تولید شده روی بستر را تعیین می کند که می تواند باعث تغییر در شرایط تبلور فیلم شود.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Elseiver. Surface and Coatings Technology xx (2007) xxx–xxx
Carbonaceous thin films can be used in microelectronics, superconductors, solar batteries, logic and memory devices, and to increase processing tool wear resistance, and as magnetic nanocomposite materials for information storage. This paper presents a study of carbonaceous thin films deposited on silicon substrates using ablation plasma generated by pulsed power ion beams (H+—60%, C+—40%, E=500 keV, τ=100 ns, density=8 J/cm2) on graphitic targets. The concentrations of sp3-bonded crystalline diamond, and amorphous and crystalline phases of carbon were determined by X-ray diffraction analysis (XRD). It was observed that the concentration of the crystalline diamond phase in films deposited under various conditions did not exceed 5%. A substantial concentration (30–95%) of the carbon crystalline phase is in the form of C60 and C70 fullerenes. It is shown that the concentration of fullerenes and the ratio between the relative amounts of C60 and C70 greatly depends on the graphitic target density, carbon film deposition conditions and above all on the distance from the graphitic target to the silicon substrate. This distance determines the film deposition rate and the degree of cooling of the plasma generated on the substrate, which can cause changes in film crystallization conditions.