دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Ferrari. Giorgio, Li. Jian V سری: ISBN (شابک) : 9781315150130, 1351368443 ناشر: Pan Stanford Publishing سال نشر: 2018 تعداد صفحات: [461] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 19 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Capacitance spectroscopy of semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب طیف سنجی ظرفیت نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Content: Cover
Half Title
Title Page
Copyright Page
Table of Contents
Preface
SECTION I: PHYSICS
1: An Introduction to Capacitance Spectroscopy in Semiconductors
1.1 Capacitance
1.1.1 The Definitions of Capacitance
1.1.2 Extraction of Capacitance from Equivalent Circuits
1.2 Capacitances in Semiconductors
1.2.1 Capacitance of an Insulator
1.2.2 Capacitance of a Semiconductor at Equilibrium
1.2.3 Capacitance of a Semiconductor Depleted of Carriers
1.2.4 Capacitance of a Semiconductor with Excess Carriers
1.2.5 Capacitance of a Semiconductor with Carrier Traps 1.3 Capacitance Spectroscopy1.3.1 Capacitance-Voltage Profiling
1.3.2 Drive-Level Capacitance Profiling
1.3.3 Admittance Spectroscopy
1.3.4 Deep-Level Transient Spectroscopy
1.4 Impedance Spectroscopy
1.4.1 Experiment
1.4.2 Graphical Analysis
1.5 Summary
2: Admittance Spectroscopy
2.1 Principles of Admittance Spectroscopy
2.2 Interpretation of Admittance Spectroscopy
2.2.1 Series Resistance
2.2.2 Defect Spectroscopy
2.2.3 Carrier Freeze-Out
2.2.4 Back Contact Diode
2.2.5 Simulation
2.3 Series Resistance
2.4 Dielectric Relaxation
2.5 Defect Spectroscopy 2.6 Back Contact Diode2.7 Phototransistor Model
2.8 Discussion
2.9 Conclusion
3: Deep-Level Transient Spectroscopy
3.1 Introduction
3.2 The Principle
3.2.1 Fourier-Transform Analysis
3.2.2 Laplace DLTS
3.2.3 Coupling of Defect Levels
3.3 Carrier Capture Cross Section
3.4 Minority Carrier Traps
3.5 Extended Defects
3.6 Heavily Compensated Semiconductors and Non-Uniform Doping Profile
3.7 Anomalous Signals
3.8 Summary
4: Capacitance-Voltage and Drive-Level-Capacitance Profiling
4.1 Depletion Capacitance and CV Profiling
4.1.1 The Ideal One-Sided Diode with an Abrupt Junction 4.1.2 Influence of Series Resistance4.1.3 Influence of Interface States
4.1.4 Capacitance in Forward Bias
4.1.5 Metal-Insulator-Semiconductor Devices
4.1.6 Experimental Details of CV
4.2 Drive-Level Capacitance Profiling
4.2.1 Theoretical Development of DLCP
4.2.2 Experimental Details of DLCP
4.2.3 Analyzing DLCP Data
4.2.4 History of DLCP
4.3 Comparing Results from Multiple Techniques
4.3.1 Comparisons between DLCP and CV
4.3.2 Comparisons with AS
4.3.3 Other Quantitative Tests of DLCP
4.4 Cautions and Opportunities for CV and DLCP
SECTION II: INSTRUMENTATION 5: Basic Techniques for Capacitance and Impedance Measurements5.1 Definitions
5.2 Classification of Measurement Techniques
5.3 Voltage Sensing
5.3.1 Shunt Scheme
5.3.2 Ratiometric Configuration
5.3.3 Half Bridge
5.3.4 Full Bridge
5.4 Current Sensing
5.4.1 Transimpedance Front-End
5.4.2 Summary and Comparison
5.5 Impedance Calculation
5.5.1 Envelope Detector
5.5.2 Synchronous Demodulation
5.5.3 Sampling-Based Techniques
5.6 Correction of Parasitics-Induced Inaccuracies
5.6.1 Multi-Wire Schemes
5.6.2 Calibration
5.7 Other Techniques
5.7.1 Resonant Techniques