ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Beyond Binary Memory Circuits: Multiple-Valued Logic

دانلود کتاب فراتر از مدارهای حافظه باینری: منطق چند ارزشی

Beyond Binary Memory Circuits: Multiple-Valued Logic

مشخصات کتاب

Beyond Binary Memory Circuits: Multiple-Valued Logic

ویرایش:  
نویسندگان: , ,   
سری: Synthesis Lectures on Digital Circuits & Systems 
ISBN (شابک) : 3031161947, 9783031161940 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2022 
تعداد صفحات: 109
[110] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 3 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 44,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Beyond Binary Memory Circuits: Multiple-Valued Logic به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فراتر از مدارهای حافظه باینری: منطق چند ارزشی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فراتر از مدارهای حافظه باینری: منطق چند ارزشی

این کتاب مروری بر تعاریف و ویژگی های اساسی منطق چند ارزشی (MVL) در اختیار خوانندگان قرار می دهد. نویسندگان بحث مختصری در مورد توسعه تاریخی فناوری‌های MVL ارائه می‌کنند، در حالی که هدف اصلی کتاب ارائه مروری جامع از فناوری‌های مختلفی است که برای پیاده‌سازی مدارها و سیستم‌های حافظه چند ارزشی یا فراتر از باینری در حال بررسی هستند. این بحث شامل ویژگی‌های اساسی، چشم‌اندازها و چالش‌های هر فناوری است، در حالی که کارهای مهم انجام شده در شاخه‌های مختلف معماری حافظه MVL، مانند مدارهای ترتیبی، حافظه دسترسی تصادفی، حافظه فلش و غیره را برجسته می‌کند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book provides readers with an overview of the fundamental definitions and features of Multiple-Valued Logic (MVL). The authors include a brief discussion of the historical development of MVL technologies, while the main goal of the book is to present a comprehensive review of different technologies that are being explored to implement multiple-valued or beyond-binary memory circuits and systems. The discussion includes the basic features, prospects, and challenges of each technology, while highlighting the significant works done on different branches of MVL memory architecture, such as sequential circuits, random access memory, Flash memory, etc.



فهرست مطالب

Preface
	About the Subject
	About This Book
	Organization of the Book
Acknowledgements
Contents
About the Authors
Abbreviations
List of Figures
List of Tables
1 Background and Future of Multiple Valued Logic
	1.1 Introduction
	1.2 What is Multiple-Valued Logic
	1.3 Computational Advantages of MVL System
	1.4 Historical Background
	1.5 Scopes of MVL Technology
		1.5.1 Arithmetic Circuit Design
		1.5.2 Memory Circuit Design
		1.5.3 Quantum Computing
		1.5.4 High-Speed Signaling
		1.5.5 Cloud Based Computing Platform
		1.5.6 Other Applications of MVL System
	1.6 Challenges of MVL System
	1.7 Future Direction
	1.8 Conclusion
	References
2 Mathematical Representation of Multi Valued Logic
	2.1 Definition and Signal Representation
	2.2 Basic Algebraic Operators for MVL
	2.3 Synthesis Technique of MVL
	2.4 Conclusion
	References
3 Overview of Different Technologies for Multiple-Valued Memory
	3.1 Planar MOSFET Technology
		3.1.1 Operating Principle
		3.1.2 Analysis
	3.2 Silicon on Insulator (SOI) and Fin Field Effect Transistor (FinFET)
		3.2.1 Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI)
		3.2.2 Fin Field Effect Transistor (FinFET)
		3.2.3 Analysis
	3.3 Resonant Tunneling Diode (RTD) Technology
		3.3.1 Operating Principle
		3.3.2 Analysis
	3.4 Single Electron Transistor (SET) Technology
		3.4.1 Operating Principle
		3.4.2 Analysis
	3.5 Carbon Based Technologies: CNTFET and GNRFET
		3.5.1 Operating Principle
		3.5.2 Analysis
	3.6 Memristor
		3.6.1 Operating Principle
		3.6.2 Analysis
	3.7 Magnetic Tunnel Junction (MTJ)
		3.7.1 Operating Principle
		3.7.2 Analysis
	3.8 Neuron Metal Oxide Semiconductor (Neuron-MOS)
		3.8.1 Operating Principle
		3.8.2 Analysis
	3.9 Conclusion
	References
4 MVL Sequential Circuits
	4.1 Introduction
	4.2 Ternary D-Latch
	4.3 Ternary D Flip-Flop
		4.3.1 Positive Edge Triggered D Flip-Flap-Flop
	4.4 Analysis
	4.5 Application of Ternary Sequential Circuits
	4.6 Conclusion
	References
5 MVL Random Access Memory
	5.1 Introduction
	5.2 Static Random-Access Memory (SRAM)
		5.2.1 Design 1 of a Ternary SRAM
		5.2.2 Design 2 of a Ternary SRAM
		5.2.3 Analysis
	5.3 Dynamic Random-Access Memory (DRAM)
		5.3.1 Design 1 a Ternary DRAM
		5.3.2 Design 2 a Ternary DRAM
		5.3.3 Analysis
	5.4 Multi-level Dynamic Random-Access Memory (MLDRAM)
		5.4.1 MLDRAM Design Proposed by Gillingham
		5.4.2 Analysis
	5.5 Conclusion
	References
6 MVL Flash Memory
	6.1 Introduction
	6.2 Floating Gate MOS (FGMOS)
	6.3 ETOX Flash
	6.4 NAND and NOR Flash Memory
	6.5 Multi-level Memory Cell Concept
		6.5.1 Working Principle of Multi-valued Flash Memory
		6.5.2 Planar Versus Vertical NAND
	6.6 Conclusion
	References
7 Ternary Content Addressable Memory
	7.1 Introduction
	7.2 Operation of Content-Addressable Memory (CAM)
	7.3 Binary Versus Ternary CAM
	7.4 Analysis
	References




نظرات کاربران