ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Bauelemente der Halbleiterelektronik: Teil 2 Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren und Optoelektronik

دانلود کتاب اجزای الکترونیک نیمه هادی: قسمت 2 ترانزیستورهای اثر میدانی، تریستورها و اپتوالکترونیک

Bauelemente der Halbleiterelektronik: Teil 2 Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren und Optoelektronik

مشخصات کتاب

Bauelemente der Halbleiterelektronik: Teil 2 Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren und Optoelektronik

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Moeller, Leitfaden der Elektrotechnik 
ISBN (شابک) : 9783519064190, 9783322927620 
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag 
سال نشر: 1978 
تعداد صفحات: 335 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 13 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 35,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب اجزای الکترونیک نیمه هادی: قسمت 2 ترانزیستورهای اثر میدانی، تریستورها و اپتوالکترونیک: مهندسی، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 12


در صورت تبدیل فایل کتاب Bauelemente der Halbleiterelektronik: Teil 2 Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren und Optoelektronik به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اجزای الکترونیک نیمه هادی: قسمت 2 ترانزیستورهای اثر میدانی، تریستورها و اپتوالکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اجزای الکترونیک نیمه هادی: قسمت 2 ترانزیستورهای اثر میدانی، تریستورها و اپتوالکترونیک

تقریباً هیچ حوزه دیگری از مهندسی برق به سرعت الکترونیک نیمه هادی در 25 سال گذشته توسعه یافته است. با توجه به نتایج تحقیقات جدید در فیزیک حالت جامد و فناوری به طور قابل توجهی بهبود یافته در تولید نیمه هادی ها، دو جهت مختلف توسعه را می توان مشاهده کرد، از سوی دیگر، تعداد زیادی از اجزای نیمه هادی با خواص ویژه توسعه یافته اند که این امکان را فراهم می کند. راه حل های بهینه برای بسیاری از مسائل الکترونیکی در حالی که قسمت 1 این کتاب که در بهار 1976 منتشر شد، به حوزه های موضوعی دیودها و ترانزیستورهای دوقطبی می پردازد، قسمت 2 که اکنون در دسترس است، شامل حوزه های ترانزیستورهای اثر میدان، سایر ترانزیستورهای ویژه، اجزای تریستور و رشته اپتوالکترونیک که در همین حال بسیار گسترده شده است. مجدداً مانند قسمت اول، سعی شده است با وجود تعداد زیاد مؤلفه ها، شخصیت کتاب درسی حفظ شود تا دانشجویان دانشگاه های فنی و دانشکده های فنی بتوانند با این موضوع پیچیده آشنا شوند. بنابراین، این کتاب می‌تواند همراه با بخش 1 به‌عنوان یک کتاب درسی برای همراهی با سخنرانی مورد استفاده قرار گیرد، به موجب آن، مطالب جمع‌آوری‌شده در دو جلد فرعی اغلب فراتر از آن چیزی است که می‌توان در یک سخنرانی الکترونیکی به دلایل زمانی به آن پرداخت. بنابراین، کتاب‌ها علاوه بر ارزش افزوده به مطالبی که در سخنرانی ارائه می‌شود، برای خودآموزی مناسب هستند. برای این منظور، تعداد زیادی نمونه کار شده با جزئیات مفید است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Kaum ein anderer Bereich der Elektrotechnik hat sich in den ietzten 25 Jahren so schnell entwickelt wie die Halbleiterelektronik. Vorangetrieben durch neue Forschungsergeb­ nisse der Festkorperphysik und durch eine sHindig verbesserte Technologie bei der Her­ stellung von Halbleitern, waren zwei verschiedene Entwicklungsrichtungen zu beobach­ ten. Einerseits geiang es, die Integration bis zu einigen 1000 Halbleiterbauelementen auf einem einzigen Kristall durchzufUhren und somit hochintegrierte Schaltkreise, insbe­ sondere fUr die digitale Elektronik und Computertechnik, herzustellen, andererseits wurde dagegen eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen mit speziellen Eigenschaften entwickelt, die fUr viele elektronische Probleme optimale Losungen gestatten. Wahrend nun im Teil 1 dieses Buches, der im Frtihjahr 1976 erschien, die Sachgebiete Dioden und bipolare Transistoren behandelt werden, enthalt der jetzt vorliegende Teil 2 die Bereiche Feldeffekt-Transistoren, weitere Spezialtransistoren, Thyristor-Bauelemente sowie das inzwischen sehr umfangreich gewordene Gebiet der Optoelektronik. Auch hier wird wieder wie in Teil 1 versucht, trotz der Vielzahl der Bauelemente den Lehr­ buchcharakter zu wahren, urn den Studenten der Technischen Universitaten und der Fachhochschulen das Einarbeiten in dieses komplexe Stoffgebiet zu erleichtern. Das Buch kann deshalb gemeinsam mit Teil 1 als vorlesungsbegleitendes Lehrbuch benutzt werden, wobei der in den beiden Teilbanden zusammengetragene Stoff haufig tiber das in einer Elektronik-Vorlesung aus Zeitgrtinden Behandelbare hinausgeht. Die Bticher stellen deshalb auch eine wertvolle Erganzung zu dem in der Vorlesung behandelten Stoff dar und eignen sich fUr das Selbststudium. Ftir diesen Zweck ist die groBe Anzahl von detailliert durchgerechneten Beispielen vorteilhaft.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages II-XI
Transistoren mit besonderen Eigenschaften....Pages 1-88
Thyristor-Bauelemente....Pages 89-156
Optoelektronische Bauelemente....Pages 157-262
Magnetoelektronische Bauelemente....Pages 263-280
Spannungsabhängige Widerstände....Pages 281-286
Temperaturabhängige Widerstände....Pages 287-304
Back Matter....Pages 305-325




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی