ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Basic Properties of Semiconductors

دانلود کتاب ویژگی های اصلی نیمه هادی ها

Basic Properties of Semiconductors

مشخصات کتاب

Basic Properties of Semiconductors

ویرایش: Rev Enl Su 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9780444888556 
ناشر: North Holland 
سال نشر: 1992 
تعداد صفحات: 1198 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 17 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 29,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب Basic Properties of Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ویژگی های اصلی نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ویژگی های اصلی نیمه هادی ها

از زمانی که جلد 1 در سال 1982 منتشر شد، مراکز مورد توجه در فیزیک پایه نیمه هادی ها تغییر کرده است. جلد 1 در چاپ اول تئوری باند و ویژگی های حمل و نقل نامیده می شد، اما موضوع به حدی گسترش یافته است که ویژگی های اساسی اکنون عنوان مناسب تری است.

هفت فصل توسط نویسندگان اصلی بازنویسی شده است. با این حال، دوازده فصل اساساً جدید هستند، و بخش عمده ای از این کار به موضوعات مهم فعلی اختصاص دارد که به این جلد شکل تقریباً دایره‌المعارفی می‌دهد. نیمه هادی ها سپس فصل هایی را در مورد آمار نیمه هادی ها و سطوح، رابط ها و جابجایی باند همانطور که در اتصالات ناهمگون رخ می دهد دنبال کنید. فصل های 8 تا 19 در مورد موضوعات جدیدتر گزارش می دهند (البته بررسی ویژگی های حمل و نقل حامل ها نیز گنجانده شده است). در این میان می توان به انتقال الکترون های داغ و اثرات ترموالکتریک از جمله خواص ساختارهای کم بعدی و مزوسکوپی در اینجا و جاهای دیگر اشاره کرد. مایع الکترون حفره، اثر هال کوانتومی، محلی‌سازی، انتقال بالستیک، انسجام در ابرشبکه‌ها، ایده‌های کنونی در مورد تونل‌زنی و محدودیت کوانتومی و فرآیندهای پراکندگی نیز پوشش داده شده‌اند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Since Volume 1 was published in 1982, the centres of interest in the basic physics of semiconductors have shifted. Volume 1 was called Band Theory and Transport Properties in the first edition, but the subject has broadened to such an extent that Basic Properties is now a more suitable title.

Seven chapters have been rewritten by the original authors. However, twelve chapters are essentially new, with the bulk of this work being devoted to important current topics which give this volume an almost encyclopaedic form.

The first three chapters discuss various aspects of modern band theory and the next two analyze impurities in semiconductors. Then follow chapters on semiconductor statistics and on surfaces, interfaces and band offsets as they occur in heterojunctions. Chapters 8 to 19 report on newer topics (though a survey of transport properties of carriers is also included). Among these are transport of hot electrons, and thermoelectric effects including here and elsewhere properties of low-dimensional and mesoscopic structures. The electron-hole liquid, the quantum Hall effect, localisation, ballistic transport, coherence in superlattices, current ideas on tunnelling and on quantum confinement and scattering processes are also covered



فهرست مطالب

Content: 
Handbook on Semiconductors: Completely revised and enlarged edition, Page ii
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
General Preface, Page v, T.S. Moss
General Preface to the First Edition, Page vii, T.S. Moss
Inside Front Cover, Page viii
Preface to Volume 1, Page ix, P.T. Landsberg
Contributors to Volume 1, Pages xiii-xiv
CHAPTER 1 - Contemporary Topics in Band Theory, Pages 1-45, MARK RASOLT
CHAPTER 2 - Chemical Models of Energy Bands, Pages 47-57, J.C. PHILLIPS
CHAPTER 3 - Ab initio Pseudopotentials and the Structural Properties of Semiconductors, Pages 59-111, JAMES R. CHELIKOWSKY, MARVIN L. COHEN
CHAPTER 4 - Deep and Shallow Impurities in Semiconductors: Theoretical, Pages 113-160, M. LANNOO
CHAPTER 5 - Impurities in Semiconductors: Experimental, Pages 161-196, J.M. BARANOWSKI, M. GRYNBERG
CHAPTER 6 - Semiconductor Statistics, Pages 197-280, P.T. LANDSBERG, O. ENGSTRÖM
CHAPTER 7 - Surfaces and Interfaces: Atomic-Scale Structure, Band Bending and Band Offsets, Pages 281-417, L.J. BRILLSON
CHAPTER 8 - Nonlinear Dynamics, Phase Transitions and Chaos in Semiconductors, Pages 419-447, ECKEHARD SCHÖLL
CHAPTER 9 - Electron—Hole Liquids in Semiconductors, Pages 449-487, A.A. ROGACHEV
CHAPTER 10 - Dynamics and Classical Transport of Carriers in Semiconductors, Pages 489-581, LAURA M. ROTH
CHAPTER 11 - Conjugated Polymer Semiconductors: An Introduction, Pages 583-625, E.M. CONWELL, H.A. MIZES
CHAPTER 12 - Electron Tunneling in Semiconductors, Pages 627-664, PETER J. PRICE
CHAPTER 13 - Quantum Confinement and Scattering Processes, Pages 665-719, B.K. RIDLEY
CHAPTER 14 - Classical Transport and Thermoelectric Effects in Low-Dimensional and Mesoscopic Semiconductor Structures, Pages 721-816, B.L. GALLAGHER, P.N. BUTCHER
CHAPTER 15 - Coherence in III–V Semiconductor Superlattices, Pages 817-861, PAUL VOISIN, GERALD BASTARD
CHAPTER 16 - From Ballistic Transport to Localization, Pages 863-975, S.E. ULLOA, E. CASTAÑO, A. MACKINNON, G. KIRCZENOW
CHAPTER 17 - The Quantum Hall Effect, Pages 977-1037, TAPASH CHAKRABORTY
CHAPTER 18 - Hot-Electron Transport Phenomena, Pages 1039-1077, DAVID K. FERRY
CHAPTER 19 - Fundamental Aspects of Quantum Transport Theory, Pages 1079-1127, J.R. BARKER
Author Index, Pages 1129-1185
List of Main Abbreviations, Pages 1187-1188
Subject Index, Pages 1189-1204




نظرات کاربران