برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Bands and Photons in III-V Semiconductor Quantum Structures

دانلود کتاب باندها و فوتون ها در ساختارهای کوانتومی نیمه هادی III-V

مشخصات کتاب

Bands and Photons in III-V Semiconductor Quantum Structures

ویرایش:  
نویسندگان: Igor Vurgaftman,  Matthew P. Lumb,  Jerry R. Meyer  
سری: Series on Semiconductor Science and Technology 
ISBN (شابک) : 0198767277, 9780198767275 
ناشر: Oxford University Press 
سال نشر: 2021 
تعداد صفحات: 688
[674] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 Mb

قیمت کتاب (تومان) : 42,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 6

در صورت تبدیل فایل کتاب Bands and Photons in III-V Semiconductor Quantum Structures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب باندها و فوتون ها در ساختارهای کوانتومی نیمه هادی III-V نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب باندها و فوتون ها در ساختارهای کوانتومی نیمه هادی III-V

ساختارهای کوانتومی نیمه هادی در هسته بسیاری از دستگاه های فوتونیک مانند لیزر، آشکارسازهای نوری، سلول های خورشیدی و غیره قرار دارند. برای درک اینکه چرا آنها تا این اندازه مناسب این دستگاه ها هستند، باید ویژگی های اساسی ساختار نواری آنها و نحوه تعامل آنها با حادثه را درک کنیم. سبک. زیاد کتاب‌ها در گذشته این وظیفه را برعهده گرفته‌اند، اما درمان‌های آنها یا به استخراج نتایج از ادبیات و ارائه آن‌ها به عنوان حقایق دریافتی یا تکیه بر مدل‌های غیرواقعی ساده تمایل دارد. باندها و فوتون‌ها در ساختارهای کوانتومی نیمه‌رسانای III-V خواننده را از اصول اولیه نیمه‌رساناهای III-V می‌گیرد (برخی آماده‌سازی در مکانیک کوانتومی و الکترومغناطیس مفید است) و نشان می‌دهد که چگونه نتایج به ظاهر مبهم مانند اشکال دقیق انتقال نوری همیلتونی نقاط قوت و مکانیسم‌های نوترکیبی را دنبال می‌کنند. خواننده برای درک کامل مطالب نیازی به مراجعه به منابع دیگر ندارد، اگرچه چند منبع دستچین شده برای کسانی که مایل به تعمیق بیشتر دانش خود هستند فهرست شده است. ارتباط با خواص مواد جدید مانند گرافن و دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه برای کمک به آماده‌سازی خواننده برای مشارکت در خط مقدم تحقیقات در آن زمینه‌ها اشاره شده‌اند. این کتاب همچنین یک پایگاه داده کامل و به روز از پارامترهای باند را که وارد محاسبات می شوند، همراه با جداول ثابت های نوری و طرح های درون یابی برای آلیاژها ارائه می دهد. از این مبانی، کتاب به استخراج ویژگی های دستگاه های نیمه هادی فوتونی (با تمرکز بر مادون قرمز میانی) با استفاده از اصول یکسان برای ساختن همه مفاهیم از پایه، توضیح همه مشتقات با جزئیات، ارائه مثال‌های کمی، و ارائه استدلال‌های بعدی هر زمان که بتوانند به درک خواننده کمک کنند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Semiconductor quantum structures are at the core of many photonic devices such as lasers, photodetectors, solar cells etc. To appreciate why they are such a good fit to these devices, we must understand the basic features of their band structure and how they interact with incident light. Many books have taken on this task in the past, but their treatments tend either to pluck results from the literature and present them as received truths or to rely on unrealistically simple models. Bands and Photons in III-V Semiconductor Quantum Structures takes the reader from the very basics of III-V semiconductors (some preparation in quantum mechanics and electromagnetism is helpful) and shows how seemingly obscure results such as detailed forms of the Hamiltonian, optical transition strengths, and recombination mechanisms follow. The reader would not need to consult other references to fully understand the material, although a few handpicked sources are listed for those who would like to deepen their knowledge further. Connections to the properties of novel materials such as graphene and transition metal dichalcogenides are pointed out, to help prepare the reader for contributing at the forefront of research in those fields. The book also supplies a complete, up-to-date database of the band parameters that enter into the calculations, along with tables of optical constants and interpolation schemes for alloys. From these foundations, the book goes on to derive the characteristics of photonic semiconductor devices (with a focus on the mid-infrared) using the same principles of building all concepts from the ground up, explaining all derivations in detail, giving quantitative examples, and laying out dimensional arguments whenever they can help the reader's understanding.

فهرست مطالب

Title_Pages
Dedication
Preface
Acknowledgments
Basics_of_Crystal_Structure_and_Band_Structure
Introduction_to_kp_Theory
Detailed_kp_Theory_for_Bulk_IIIV_Semiconductors
Absorption_and_Emission_of_Light_in_IIIV_Semiconductors
Other_Techniques_for_Calculating_Semiconductor_Band_Structure
Binary_Compound_Semiconductors
Alloys_and_Exotic_Materials
Basics_of_EnvelopeFunction_Theory
Methods_for_Computing_the_States_of_Quantum_Structures
Superlattice_and_QuantumWell_Band_Structure
Absorption_and_Emission_of_Light_in_Quantum_Structures
Interband_Semiconductor_Lasers_and_LEDs
Quantum_Cascade_Lasers
Semiconductor_Photodetectors
Solar_Cells_Thermophotovoltaics_and_Nonlinear_Devices_Based_on_Quantum_Wells
Appendix_A_Physical_Constants_Units_and_Other_Useful_Physical_Relations
Appendix_B_Hole_Effective_Masses_for_Wurtzite_Materials
Appendix_C_Loehrs_Parametrization_of_the_SecondNearestNeighbor_EBOM
Appendix_D_Table_of_Optical_Parameters_for_Bulk_IIIV_Semiconductors
Index
Acknowledgements