ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Atomistic Aspects of Epitaxial Growth

دانلود کتاب جنبه های اتمی رشد همپایی

Atomistic Aspects of Epitaxial Growth

مشخصات کتاب

Atomistic Aspects of Epitaxial Growth

ویرایش: 1 
نویسندگان: , , , , , , ,   
سری: NATO Science Series 65 
ISBN (شابک) : 9781402006753, 9789401003919 
ناشر: Springer Netherlands 
سال نشر: 2002 
تعداد صفحات: 587 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 85 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب جنبه های اتمی رشد همپایی: سطوح و واسط ها، لایه های نازک، خصوصیات و ارزیابی مواد، شیمی فیزیک، فیزیک ماده متراکم



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Atomistic Aspects of Epitaxial Growth به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب جنبه های اتمی رشد همپایی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب جنبه های اتمی رشد همپایی



رشد اپیتاکسیال در قلب طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی و فناوری قرار دارد. پیشرفت‌های اخیر، تجربی و نظری، امکان دستکاری اتم به اتم و درک چنین فرآیندهایی را فراهم می‌کند و حوزه کاملاً جدیدی از نانوساختارهای بی‌سابقه را باز می‌کند.

مشارکت‌ها در جنبه‌های اتمی رشد همپایه به پنج بخش اصلی تقسیم می شود که خواننده را از جزئیات اتمی انتشار سطح به توصیف ماکروسکوپی سیستم های همپایی می برد. بسیاری از مقالات حاوی مطالب پیش‌زمینه قابل توجهی در مورد روش‌های نظری و تجربی هستند که این کتاب را هم برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی به‌عنوان متن تکمیلی در دوره‌ای درباره پدیده‌های همبستگی و هم برای متخصصان این حوزه مناسب می‌سازد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Epitaxial growth lies at the heart of a wide range of industrial and technological applications. Recent breakthroughs, experimental and theoretical, allow actual atom-by-atom manipulation and an understanding of such processes, opening up a totally new area of unprecedented nanostructuring.

The contributions to Atomistic Aspects of Epitaxial Growth are divided into five main sections, taking the reader from the atomistic details of surface diffusion to the macroscopic description of epitaxial systems. many of the papers contain substantial background material on theoretical and experimental methods, making the book suitable for both graduate students as a supplementary text in a course on epitaxial phenomena, and for professionals in the field.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xii
Experimental Study of Surface Diffusion in Metal Overlayers on Anisotropic Metal Surfaces....Pages 1-18
Ab Initio Modeling of Free Energy Profiles in Thermally Activated Processes....Pages 19-29
Surface Diffusion With a Realistic Damping Coefficient....Pages 31-42
Vibrational and Structural Properties of the Nb (001) Surface With and Without a Nb Adatom by Tight-Binding Molecular Dynamics....Pages 43-49
Adatoms and Vacancies on A 3 B(001) Surfaces....Pages 51-61
Long-Time-Scale Simulations of Al(100) Crystal Growth....Pages 63-74
Diffusion of Dimers on Silicon and Germanium (001) Surfaces....Pages 75-85
Island Nucleation in Metal Thin-Film Growth....Pages 87-97
Capture-Numbers and Island Size-Distributions in Irreversible Homoepitaxial Growth: A Rate Equation Approach....Pages 99-109
Island Statistics Reflecting Growth Processes....Pages 111-120
Growth of an Anisotropic Surface: The Case of Ag/Ag(110)....Pages 121-127
Vibrational Properties of 2D Copper Islands on the CU(111) Surface by MD Simulations....Pages 129-134
Irreversible Nucleation in Multilayer Growth....Pages 135-144
Second Layer Nucleation and the Shape of Wedding Cakes....Pages 145-163
Steering Epitaxial Growth....Pages 165-184
Coarsening Mechanisms in Surface Morphological Evolution....Pages 185-196
Realistic Atomistic Modeling of Mound Formation During Multilayer Growth: Metal(100) Homoepitaxy....Pages 197-206
Patterning Surfaces by Self-Organized Growth....Pages 207-218
Growth and Ion Erosion: Two Methods for Patterning Surfaces....Pages 221-241
Oscillatory Driving of Crystal Surfaces: A Route to Controlled Pattern Formation....Pages 243-253
Reconstruction-Determined Growth of Silver on Silicon(111)—(7×7)....Pages 255-265
Electromigration of si Adatoms on si Surfaces: A Key to Understanding Step Bunching Instabilities During Sublimation and Mbe Growth....Pages 267-279
Atomic Steps on a Single-Crystal Surface Studied With in Situ Uhv Reflection-Electron Microscopy....Pages 281-299
Mechanisms and Anomalies in The Formation of Inas—Gaas(001) Quantum Dot Structures....Pages 301-325
Ab Initio Study of Stability of Surfaces and Nanostructures....Pages 327-335
Atomistic and Continuum Elastic Effects in Heteroepitaxial Systems....Pages 337-353
Ab Initio Thermodynamics and Statistical Mechanics of Diffusion, Growth, and Self- Assembly of Quantum Dots....Pages 355-369
Atomistic Aspects of Sige Nanostructure Formation by Molecular-Beam Epitaxy....Pages 371-381
Stress-Induced Surface Modulation....Pages 383-396
Entropy Effects in the Self-Organized Formation of Nanostructures....Pages 397-409
Dislocation-Free 3D Islands in Highly Mismatched Epitaxy: An Equilibrium Study With Anharmonic Interactions....Pages 411-428
Self-Assembly of Few-Atom Clusters in a Model of a Strained Submonolayer....Pages 429-437
Ab-Initio Study of The Influence of Epitaxial Strain on Magnetoelastic Properties....Pages 439-447
Strain Characterization of Epitaxially-Grown Superlattices by Raman Spectroscopy....Pages 449-455
Effect of Annealing At High Hydrostatic Pressure of Silicon Implanted with Helium and Oxygen....Pages 457-466
Effect of High Temperature-Pressure on Strain Relaxation in Thin Layers of Semiconductors Epitaxially Grown on Gaas and Si Substrates....Pages 467-475
Atomic View of Surfactant Action in Epitaxial Growth: From STM to Computer Simulation....Pages 477-488
Effects of Atomic Interactions in Two-Component Submonolayer Growth....Pages 489-498
Ultrathin Ionic Films Epitaxially Grown on III-V Semiconductors Studied With Atomic Resolution....Pages 499-509
Ultraviolet-Assisted Pulsed Laser Deposition of Thin Oxide Films....Pages 511-524
Atomistic Theory of the Growth Mode for a Thin Metallic Film on an Isulating Substrate....Pages 525-534
Structure and Formation Mechanism of Nanogranular CoCu Films....Pages 535-550
Photoemission Studies of Bimetallic Ultrathin Films: Au-Ni on Yttria-Stabilised ZRO 2 (100)....Pages 551-560
Ab-Initio Calculations on the Structural and Electronic Properties of BaO/BatiO3 And SrO/SrTiO 3 Interfaces....Pages 561-571
Atomic Ordering and its Influence on the Optical and Electrical Properties of InGaP Grown by MOVPE....Pages 573-582
Nanoscopic Study of Zirconia Films Grown by Atomic Layer Deposition....Pages 583-591
Back Matter....Pages 593-604




نظرات کاربران