دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃N₄ Interfaces
دانلود کتاب خصوصیات مقیاس اتمی و مطالعات اصول اولیه رابط های Si₃N4
مشخصات کتاب
Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃N₄ Interfaces
ویرایش: 1
نویسندگان: Weronika Walkosz (auth.)
سری: Springer Theses
ISBN (شابک) : 144197816X, 9781441978165
ناشر: Springer-Verlag New York
سال نشر: 2011
تعداد صفحات: 122
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 3 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 34,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب خصوصیات مقیاس اتمی و مطالعات اصول اولیه رابط های Si₃N4: سرامیک، شیشه، کامپوزیت ها، روش های طبیعی، طیف سنجی و میکروسکوپی، شیمی فیزیک، مواد ساختاری، ساختار و طیف اتمی/مولکولی، مهندسی میکرو
در صورت تبدیل فایل کتاب Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃N₄ Interfaces به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خصوصیات مقیاس اتمی و مطالعات اصول اولیه رابط های Si₃N4 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب خصوصیات مقیاس اتمی و مطالعات اصول اولیه رابط های Si₃N4
این پایان‌نامه نتایج حاصل از ترکیب Z-کنتراست با وضوح اتمی و تصویربرداری میدان روشن حلقوی و طیف‌سنجی اتلاف انرژی الکترون در میکروسکوپ الکترونی انتقالی روبشی، و همچنین اولین مطالعات اصولی رابط‌های بین کریستالی را ارائه می‌کند. >β−Si3N4 و آمورف (i) CeO2-x و همچنین (ii) فیلم بین دانه ای SiO2 (IGF). این رابط‌ها از اهمیت اساسی و تکنولوژیکی برخوردار هستند زیرا نقش مهمی در تکامل ریزساختاری و خواص مکانیکی سرامیک‌های Si3N4 دارند که در بسیاری از کاربردهای دما و فشار بالا استفاده می‌شوند. سهم اصلی این کار شرح مفصل آن از ویژگی‌های پیوند اتم‌های سبک، به ویژه اکسیژن و نیتروژن، در این رابط‌ها است که قبلاً به دست نیامده بود. اطلاعات مقیاس اتمی در مورد آرایش اتم های سبک و سنگین برای مدل سازی واقعی خواص رابط، مانند قدرت رابط و انتقال یون، حیاتی است و افزایش کنترل بر عملکرد مواد سرامیکی و نیمه هادی را برای طیف وسیعی از مواد تسهیل می کند. درخواست ها.
این پایان نامه دکترا توسط دانشگاه ایلینوی-شیکاگو، شیکاگو، ایالات متحده آمریکا پذیرفته شده است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This thesis presents results from a combined atomic-resolution Z-contrast and annular bright-field imaging and electron energy loss spectroscopy in the Scanning Transmission Electron Microscopy, as well as first principles studies of the interfaces between crystalline β−Si3N4 and amorphous (i) CeO2-x as well as (ii) SiO2 intergranular film (IGF). These interfaces are of a great fundamental and technological interest because they play an important role in the microstructural evolution and mechanical properties of Si3N4 ceramics used in many high temperature and pressure applications. The main contribution of this work is its detailed description of the bonding characteristics of light atoms, in particular oxygen and nitrogen, at these interfaces, which has not been achieved before. The atomic-scale information on the arrangement of both light and heavy atoms is critical for realistic modeling of interface properties, such as interface strength and ion transport, and will facilitate increased control over the performance of ceramic and semiconductor materials for a wide-range of applications.
This Doctoral Thesis has been accepted by the University of Illinois-Chicago, Chicago, USA.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xiii
Silicon Nitride Ceramics....Pages 1-10
Theoretical Methods and Approximations....Pages 11-21
Overview of Experimental Tools....Pages 23-43
Structural Energetics of β- $${\\bf{{Si}_3{N}_4(10\\overline{1}0)}}$$ Surfaces....Pages 45-65
Atomic-Resolution Study of the Interfacial Bonding at Si 3 N 4 /CeO 2−δ Grain Boundaries....Pages 67-73
Atomic-Resolution Study of β-Si 3 N 4 /SiO 2 Interfaces....Pages 75-89
Imaging Bulk α-Si 3 N 4 ....Pages 91-96
Conclusions and Future Work....Pages 97-100
Back Matter....Pages 101-108
