دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فناوری نانو ویرایش: 1 نویسندگان: Cheol Seong Hwang, Cha Young Yoo (auth.), Cheol Seong Hwang (eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781461480532, 9781461480549 ناشر: Springer US سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 265 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 6 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب رسوب لایه اتمی برای نیمه هادی ها: الکتروشیمی، نیمه هادی ها، ساختارهای حافظه، فناوری انرژی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Atomic Layer Deposition for Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رسوب لایه اتمی برای نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد ویرایش شده رسوب لایه اتمی (ALD) را برای همه دستگاه های نیمه هادی مدرن مورد بحث قرار می دهد، از شیمی پایه ALD و مدل سازی فرآیندهای ALD به بخش هایی در ALD برای حافظه ها، دستگاه های منطقی و ماشین ها حرکت می کند. بخش ALD برای حافظه ها هم حافظه های تولید انبوه مانند DRAM و Flash و هم حافظه های در حال ظهور مانند PCRAM و FeRAM را پوشش می دهد. بخش مربوط به ALD برای دستگاههای منطقی، هم فرآیندهای جلویی خط و هم فرآیندهای انتهایی خط را پوشش میدهد. بخش آخر در مورد ALD برای ماشین ها به مجموعه ابزارها و سخت افزار سیستم ها می پردازد. هر فصل تاریخچه، اصول عملیاتی و توضیح کامل فرآیندهای ALD را برای هر دستگاه ارائه می دهد.
This edited volume discusses atomic layer deposition (ALD) for all modern semiconductor devices, moving from the basic chemistry of ALD and modeling of ALD processes to sections on ALD for memories, logic devices, and machines. The section on ALD for memories covers both mass-produced memories, such as DRAM and Flash, and emerging memories, such as PCRAM and FeRAM. The section on ALD for logic devices covers both front-end of the line processes and back-end of the line processes. The final section on ALD for machines looks at toolsets and systems hardware. Each chapter provides the history, operating principles, and a full explanation of ALD processes for each device.
Fundamentals --
ALD for memory devices --
ALD for logic devices --
ALD machines.