دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Khaled Salah, Yehea Ismail, Alaa El-Rouby (auth.) سری: Analog Circuits and Signal Processing ISBN (شابک) : 9783319076102, 9783319076119 ناشر: Springer International Publishing سال نشر: 2015 تعداد صفحات: 181 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مدلسازی دلخواه TSV برای مدارهای مجتمع سه بعدی: مدارها و سیستم ها، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، معماری پردازنده
در صورت تبدیل فایل کتاب Arbitrary Modeling of TSVs for 3D Integrated Circuits به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدلسازی دلخواه TSV برای مدارهای مجتمع سه بعدی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب یک مدل RLC با باند گسترده و مستقل و سازگار با SPICE برای ویزای سیلیکونی (TSV) در مدارهای مجتمع سه بعدی ارائه می دهد. این مدل دارای اثرات مختلفی از جمله اثر پوستی، ظرفیت تخلیه و اثرات تماس نزدیک است. خوانندگان از پوشش عمیق مفاهیم و فناوری مانند ادغام سه بعدی، مدلسازی ماکرو، تحلیل ابعادی و مدلسازی فشرده، و همچنین معادلات فرم بسته برای سیلیکون از طریق انگل بهره خواهند برد. مفاهیم تحت پوشش با استفاده از TSV در کاربردهایی مانند یک سلف مارپیچی و سیستم ارتباطی مبتنی بر القایی و فیلتر گذر باند نشان داده میشوند.
This book presents a wide-band and technology independent, SPICE-compatible RLC model for through-silicon vias (TSVs) in 3D integrated circuits. This model accounts for a variety of effects, including skin effect, depletion capacitance and nearby contact effects. Readers will benefit from in-depth coverage of concepts and technology such as 3D integration, Macro modeling, dimensional analysis and compact modeling, as well as closed form equations for the through silicon via parasitics. Concepts covered are demonstrated by using TSVs in applications such as a spiral inductor and inductive-based communication system and bandpass filtering.
Front Matter....Pages i-ix
Introduction: Work Around Moore’s Law....Pages 1-15
3D/TSV-Enabling Technologies....Pages 17-47
TSV Modeling and Analysis....Pages 49-83
TSV Verification....Pages 85-94
TSV Macro-Modeling Framework....Pages 95-101
TSV Design Applications: TSV-Based On-Chip Spiral Inductor, TSV-Based On-Chip Wireless Communications, and TSV-Based Bandpass Filter....Pages 103-131
Imperfection in TSV Modeling....Pages 133-147
New Trends in TSV....Pages 149-162
TSV Fabrication....Pages 163-172
Conclusions....Pages 173-175
Back Matter....Pages 177-179