Analysis and Design of Mosfets: Modeling, Simulation and Parameter Extraction

تحلیل و طراحی ماسفت‌ها: مدل‌سازی، شبیه‌سازی و پارامتراستخراج اولین کتابی است که به طور کامل به طیف گسترده‌ای از مسائل تحلیل و طراحی مرتبط با دستگاه نیمه‌رسانا اختصاص دارد. ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (MOSFET) نامیده می شود. این مسائل شامل فیزیک دستگاه ماسفت، مدل سازی، شبیه سازی عددی و استخراج پارامتر است. بحث کاربرد شبیه‌سازی دستگاه برای استخراج پارامترهای ماسفت مانند ولتاژ آستانه، طول کانال مؤثر و مقاومت‌های سری، مورد توجه همه خوانندگان است و ابزار یادگیری و مرجع ارزشمندی را برای دانشجویان، محققان و مهندسان فراهم می‌کند. .
تجزیه و تحلیل و طراحی ماسفت ها: مدل سازی، شبیه سازی و پارامتراستخراج، که به طور گسترده به آن ارجاع داده شده است، و شامل بیش از 180 تصویر است، یک کتاب جدید ابتکاری و یکپارچه در مورد فناوری طراحی ماسفت.

Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and ParameterExtraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers.
Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and ParameterExtraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology.