دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Advances in Silicon Carbide Processing and Applications
دانلود کتاب پیشرفت در پردازش کاربید سیلیکون و برنامه های کاربردی
مشخصات کتاب
Advances in Silicon Carbide Processing and Applications
دسته بندی: شیمی معدنی ویرایش: نویسندگان: Stephen E. Saddow, Anant Agarwal سری: Semiconductor materials and devices series ISBN (شابک) : 9781580537407, 1580537405 ناشر: Artech House سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 229 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 6 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 53,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Advances in Silicon Carbide Processing and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پیشرفت در پردازش کاربید سیلیکون و برنامه های کاربردی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب پیشرفت در پردازش کاربید سیلیکون و برنامه های کاربردی
این جلد که توسط مهندسان برق نوشته شده است، بر دو مورد از امیدوارکننده‌ترین کاربردهای فناوری SiC تمرکز دارد: سنجش گاز و مواد شیمیایی، و راندن و کنترل موتور خودروی الکتریکی. مشارکت‌کنندگان همچنین با جزئیاتی به مشکلات اساسی دستگاه و پردازش می‌پردازند که این حوزه‌های کاربردی را قادر می‌سازد تا با این فناوری خدمت کنند. پس از بررسی وضعیت فناوری از سال 2003، آنها دو حوزه کاربردی را به نوبه خود انتخاب کردند. سپس به عقب برمی‌گردند و فناوری کاشت SiC را بررسی می‌کنند، که آن را به عنوان کلیدی تشخیص می‌دهند زیرا خواص شبکه SiC استفاده از انتشار حرارتی را برای دستیابی به دوپینگ انتخابی مسطح بر روی سطح ویفرهای تک بلوری منع می‌کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Written by and for electrical engineers, this volume focuses on two of the most promising applications of SiC technology: gas and chemical sensing, and electric vehicle motor drive and control. The contributors also address in some detail the underlying device and processing issues that enable these applications areas to be served by this technology. After reviewing the status of the technology as of 2003, they take the two application areas in turn. Then they step back and explore SiC implantation technology, which they identify as key because the properties of the SiC lattice precludes using thermal diffusion to achieve planar selective doping over the surface of single-crystal wafers.
فهرست مطالب
Cover......Page 1
Contents......Page 8
Preface......Page 12
Acknowledgments......Page 14
1.1 General Properties......Page 16
1.2 History......Page 19
1.3 Crystalline Structure......Page 23
1.4 Crystal Growth......Page 26
1.5 Epitaxial Growth......Page 33
1.6 Defects......Page 36
1.7 Commercial Outlook......Page 37
1.8 Summary......Page 40
References......Page 41
2.1 Introduction......Page 44
2.2 Detection Mechanism of Field-Effect Gas Sensors......Page 45
2.3 Field-Effect Chemical Gas Sensor Devices......Page 53
2.4 Sensor Properties at Elevated Temperatures, Influence of Hydrogen......Page 64
2.5 More Sensor Properties......Page 68
2.6 Experimental......Page 72
2.7 Applications......Page 74
2.8 Outlook and Conclusions......Page 77
References......Page 78
3.1 DC-DC Conversion......Page 84
3.2 DC-AC Power Conversion......Page 95
3.3 Pulsed-Power Applications......Page 106
3.4 Thermal Management and High-Voltage Packaging......Page 112
References......Page 121
4.1 Introduction......Page 124
4.2 As-Implanted Profiles......Page 129
4.3 Implant Annealing......Page 143
4.4 Technology Barriers and Suggestions for Future Work......Page 162
References......Page 163
5.1 Introduction......Page 170
5.2 SiC UMOSFET......Page 171
5.3 SiC DIMOSFET......Page 178
5.4 SiC LDMOS......Page 184
5.5 Summary and Future Development......Page 186
References......Page 187
6.2 Device Structures and Operation of Power BJTs......Page 192
6.3 Design of the Epitaxial Power BJT......Page 196
6.4 Process Integration......Page 201
6.5 1.2-kV Power BJTs......Page 203
6.6 Design and Fabrication of UHF Transistors......Page 207
6.7 Future Work......Page 214
References......Page 215
About the Editors......Page 218
Index......Page 220
نظرات کاربران
کتاب های مرتبط
دانلود کتاب Introduction to Chemistry
دانلود کتاب Holt. Chemistry
دانلود کتاب Spin States in Biochemistry and Inorganic Chemistry: Influence on Structure and Reactivity
دانلود کتاب Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry
دانلود کتاب Bonding in Electron-Rich Molecules: Qualitative Valence-Bond Approach via Increased-Valence Structures
دانلود کتاب Solution Processing of Inorganic Materials
دانلود کتاب Non-Covalent Interactions: Theory and Experiment (RSC Theoretical and Computational Chemistry Series)
دانلود کتاب Inorganic reaction mechanisms. vol. 7. Review of the literature published between January 1978 and June 1979
دانلود کتاب General Chemistry
