دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Naruo Sasaki, Masaru Tsukada (auth.), Professor Toshio Sakurai, Professor Yousuke Watanabe (eds.) سری: Advances in Materials Research 2 ISBN (شابک) : 9783642630842, 9783642569494 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2000 تعداد صفحات: 350 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب پیشرفت در میکروسکوپ پروب اسکن: سطوح و رابط ها، لایه های نازک، مواد نوری و الکترونیکی، فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، نانوتکنولوژی
در صورت تبدیل فایل کتاب Advances in Scanning Probe Microscopy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پیشرفت در میکروسکوپ پروب اسکن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب چندین مورد از مهم ترین موضوعات مورد علاقه کنونی را در خط مقدم میکروسکوپ کاوشگر روبشی پوشش می دهد. اینها شامل نظریه واقعی میکروسکوپ نیروی اتمی با تفکیک اتمی (AFM)، اصول رشد MBE نیمه هادی های مرکب III-V و دستکاری اتمی برای دستگاه های تک الکترونی آینده است.
This book covers several of the most important topics of current interest in the forefront of scanning probe microscopy. These include a realistic theory of atom-resolving atomic force microscopy (AFM), fundamentals of MBE growth of III-V compound semiconductors and atomic manipulation for future single-electron devices.
Front Matter....Pages I-XIV
Theory of Scanning Probe Microscopy....Pages 1-41
The Theoretical Basis of Scanning Tunneling Microscopy for Semiconductors — First-Principles Electronic Structure Theory for Semiconductor Surfaces....Pages 43-64
Atomic Structure of 6H-SiC (0001) and (000 $$\bar{1}$$ )....Pages 65-90
Application of Atom Manipulation for Fabricating Nanoscale and Atomic-Scale Structures on Si Surfaces....Pages 91-112
Theoretical Insights into Fullerenes Adsorbed on Surfaces: Comparison with STM Studies....Pages 113-142
Apparent Barrier Height and Barrier-Height Imaging of Surfaces....Pages 143-165
Mesoscopic Work Function Measurement by Scanning Tunneling Microscopy....Pages 167-191
Scanning Tunneling Microscopy of III–V Compound Semiconductor (001) Surfaces....Pages 193-282
Adsorption of Fullerenes on Semiconductor and Metal Surfaces Investigated by Field-Ion Scanning Tunneling Microscopy....Pages 283-338
Back Matter....Pages 339-341