دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: B. Jayant Baliga (auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 1461402689, 9781461402688
ناشر: Springer-Verlag New York
سال نشر: 2012
تعداد صفحات: 583
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 10 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مفاهیم پیشرفته پیشرانه ولتاژ بالا: الکترونیک قدرت، ماشینها و شبکههای الکتریکی، مدارها و سیستمها، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، فیزیک حالت جامد
در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced High Voltage Power Device Concepts به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مفاهیم پیشرفته پیشرانه ولتاژ بالا نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
دستگاه های توضیح داده شده در "مفاهیم تریستور پیشرفته MOS-Gated" در تجهیزات تولید میکروالکترونیک، در تجهیزات انتقال نیرو، و برای کنترل موتور با قدرت بسیار بالا در قطارهای الکتریکی، کارخانه های فولاد، و غیره استفاده می شوند. مفاهیم پیشرفته ای که امکان بهبود عملکرد تریستورهای قدرت در اینجا به همراه دستگاه هایی با قابلیت های ولتاژ مسدود کننده 5000 ولت، 10000 ولت و 15000 ولت مورد بحث قرار می گیرد. در سرتاسر کتاب، مدلهای تحلیلی تولید میشوند تا امکان تجزیه و تحلیل ساده از ساختارها و به دست آوردن بینشی از فیزیک اساسی را فراهم کنند. نتایج شبیهسازیهای دو بعدی برای تأیید مدلهای تحلیلی و ارائه بینش بیشتر در مورد عملکرد دستگاه ارائه شده است.
The devices described in “Advanced MOS-Gated Thyristor Concepts” are utilized in microelectronics production equipment, in power transmission equipment, and for very high power motor control in electric trains, steel-mills, etc. Advanced concepts that enable improving the performance of power thyristors are discussed here, along with devices with blocking voltage capabilities of 5,000-V, 10,000-V and 15,000-V. Throughout the book, analytical models are generated to allow a simple analysis of the structures and to obtain insight into the underlying physics. The results of two-dimensional simulations are provided to corroborate the analytical models and give greater insight into the device operation.
Front Matter....Pages i-xvi
Introduction....Pages 1-19
Silicon Thyristors....Pages 21-56
Silicon Carbide Thyristors....Pages 57-77
Silicon GTO....Pages 79-150
Silicon IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)....Pages 151-234
SiC Planar MOSFET Structures....Pages 235-292
Silicon Carbide IGBT....Pages 293-383
Silicon MCT....Pages 385-436
Silicon BRT....Pages 437-483
Silicon EST....Pages 485-551
Synopsis....Pages 553-560
Back Matter....Pages 561-568