5G and E-Band Communication Circuits in Deep-Scaled CMOS

این کتاب در مورد تکنیک‌های طراحی، جزئیات طرح‌بندی و اندازه‌گیری‌های چند بلوک ساختمانی آنالوگ کلیدی بحث می‌کند که در حال حاضر عملکرد فرستنده‌های 5G و E-Band اجرا شده در CMOS با مقیاس عمیق را محدود می‌کنند. نویسندگان پیشرفت‌های اخیر را در VCOهای مربعی با نویز کم و تقسیم‌کننده‌های فرکانس بدون سلف قابل تنظیم ارائه می‌کنند. علاوه بر این، طراحی فیلترهای مبتنی بر ترانسفورماتور پهن باند کم تلفات که تطبیق بین مرحله‌ای، تقسیم/ترکیب توان و تبدیل امپدانس را انجام می‌دهند، با جزئیات زیاد مورد بحث قرار گرفته است. طراحی و اندازه گیری یک تقویت کننده کم نویز، یک مبدل پایین و یک تقویت کننده توان بسیار خطی که از تکنیک های پیشنهادی استفاده می کند نشان داده شده است. همه نمونه های اولیه در فناوری های پیشرفته CMOS مقیاس نانومتری بدون گزینه RF ضخیم به فلز ساخته شدند.

This book discusses design techniques, layout details and measurements of several key analog building blocks that currently limit the performance of 5G and E-Band transceivers implemented in deep-scaled CMOS. The authors present recent developments in low-noise quadrature VCOs and tunable inductor-less frequency dividers. Moreover, the design of low-loss broadband transformer-based filters that realize inter-stage matching, power division/combining and impedance transformation is discussed in great detail. The design and measurements of a low-noise amplifier, a downconverter and a highly-linear power amplifier that leverage the proposed techniques are shown. All the prototypes were realized in advanced nanometer scaled CMOS technologies without RF thick to metal option.