3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

این کتاب نحوه استفاده از Synopsys Sentaurus TCAD نسخه 2014 را برای طراحی و شبیه‌سازی دستگاه‌های نانو الکترونیک نیمه‌هادی CMOS سه‌بعدی (فلز-اکسید-نیمه‌رسانای مکمل) نشان می‌دهد، در حالی که کدهای منبع انتخابی را نیز ارائه می‌دهد (طراحی به کمک رایانه، TCAD) . به جای نمونه های داخلی Sentaurus TCAD 2014، موارد عملی ارائه شده در اینجا، بر اساس سال ها تجربه آموزشی و پژوهشی، برای تفسیر و تحلیل نتایج شبیه سازی خواص فیزیکی و الکتریکی CMOSFET سه بعدی طراحی شده (فلز-اکسید-) استفاده می شود. ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی) دستگاه های نانوالکترونیکی.

این کتاب همچنین به طور مفصل به نظریه اساسی طراحی دستگاه های نیمه هادی پیشرفته برای شبیه سازی و تجزیه و تحلیل بیشتر خواص الکتریکی و فیزیکی دستگاه های نیمه هادی می پردازد. فن‌آوری‌های طراحی و شبیه‌سازی برای دستگاه‌های نانونیمه‌رسانا که در اینجا مورد بررسی قرار می‌گیرند، ماهیت عملی‌تری دارند و نشان‌دهنده صنعت نیمه‌رسانا هستند، و به این ترتیب می‌توانند توسعه دستگاه‌های نیمه‌رسانای پیشگام، فیزیک دستگاه‌های نیمه‌رسانا، و رویکردهای عملی‌تر برای آموزش و یادگیری را ارتقا دهند. مهندسی نیمه هادی

این کتاب را می توان برای دانشجویان کارشناسی ارشد و کارشناسی ارشد به طور یکسان استفاده کرد، در حالی که راهنمای مرجعی برای مهندسان و کارشناسان صنعت نیمه هادی ها نیز ارائه می دهد. انتظار می رود خوانندگان اطلاعات اولیه ای در مورد این زمینه داشته باشند.

This book demonstrates how to use the Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version for the design and simulation of 3D CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor) semiconductor nanoelectronic devices, while also providing selected source codes (Technology Computer-Aided Design, TCAD). Instead of the built-in examples of Sentaurus TCAD 2014, the practical cases presented here, based on years of teaching and research experience, are used to interpret and analyze simulation results of the physical and electrical properties of designed 3D CMOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) nanoelectronic devices.

The book also addresses in detail the fundamental theory of advanced semiconductor device design for the further simulation and analysis of electric and physical properties of semiconductor devices. The design and simulation technologies for nano-semiconductor devices explored here are more practical in nature and representative of the semiconductor industry, and as such can promote the development of pioneering semiconductor devices, semiconductor device physics, and more practically-oriented approaches to teaching and learning semiconductor engineering. 

The book can be used for graduate and senior undergraduate students alike, while also offering a reference guide for engineers and experts in the semiconductor industry. Readers are expected to have some preliminary knowledge of the field.