دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Hong Xiao
سری: SPIE Press Monographs
ISBN (شابک) : 1510601465, 9781510601468
ناشر: SPIE Press
سال نشر: 2016
تعداد صفحات: 220
[200]
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 38 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب 3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دستگاه های آی سی سه بعدی، فناوری ها و ساخت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
فرآیند مقیاسبندی تراشههای مدار مجتمع (IC) با افزایش اندازه ویژگی به گرههای فناوری نانومتری چالشبرانگیزتر شده است. به منظور گسترش مقیاس، مهندسان و دانشمندان تلاش کرده اند نه تنها اندازه ویژگی را در جهت های x و y کوچک کنند، بلکه دستگاه های IC را به بعد سوم نیز سوق دهند. این کتاب مزایای دستگاههای سهبعدی و کاربردهای آنها را در حافظههای با دسترسی تصادفی پویا (DRAM)، فلش 3D-NAND و آی سیهای CMOS گره با فناوری پیشرفته مورد بحث قرار میدهد. موضوعات شامل توسعه ترانزیستورهای سلول DRAM و خازن های گره ذخیره سازی است. فرآیند تولید DRAM پیشرفته با خط کلمه مدفون؛ دستگاه های آی سی FinFET CMOS 3D. روندهای مقیاس بندی منطق CMOS. دستگاه هایی که ممکن است در دوران \"پس از CMOS\" استفاده شوند. و فنآوریهای سهبعدی، مانند ادغام فرآیند ویفر سهبعدی بستهبندیهای سهبعدی سیلیکون-رو-ILD و TSV.
The process of scaling integrated circuit (IC) chips has become more challenging as the feature size has been pushed into nanometer-technology nodes. In order to extend the scaling, engineers and scientists have attempted to not only shrink the feature size in x and y directions but also push IC devices into the third dimension. This book discusses the advantages of 3D devices and their applications in dynamic random access memory (DRAM), 3D-NAND flash, and advanced-technology-node CMOS ICs. Topics include the development of DRAM cell transistors and storage node capacitors; the manufacturing process of advanced buried-word-line DRAM; 3D FinFET CMOS IC devices; scaling trends of CMOS logic; devices that may be used in the "post-CMOS" era; and 3D technologies, such as the 3D-wafer process integration of silicon-on-ILD and TSV-based 3D packaging.