دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب 2D materials for nanoelectronics
دانلود کتاب مواد دو بعدی برای نانوالکترونیک
مشخصات کتاب
2D materials for nanoelectronics
ویرایش: نویسندگان: Dimoulas. Athanasios, Houssa. Michel, Molle. Alessandro سری: Series in materials science and engineering ISBN (شابک) : 9781498704182, 1498704182 ناشر: CRC Press سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 472 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 23 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 46,000
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مواد دو بعدی برای نانوالکترونیک: مواد نانوساختار.، گرافن.، نانوالکترونیک.، فناوری و مهندسی / مکانیک.
در صورت تبدیل فایل کتاب 2D materials for nanoelectronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد دو بعدی برای نانوالکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب مواد دو بعدی برای نانوالکترونیک
"تحولات عمده در صنعت نیمه هادی ها از طریق استفاده از مواد دو
بعدی مانند گرافن و دی کالکوژنیدهای فلزات واسطه برای مدارهای
مجتمع در چشم انداز است. این کتاب اولین درمان جامع این زمینه را
با تاکید بر کاربردها در دستگاه های نانوالکترونیکی ارائه می دهد.
تقسیم بر سه خانواده اصلی این مواد، پوشش گرافن برای کاربردهای
آنالوگ و فوتونی،
MoS2 (دی سولفید مولیبدن) برای کاربردهای منطقی و مواد جدید مانند
سیلیسن، ژرمانن ، استانن و فسفرن\"-- ادامه
مطلب...
چکیده: \"تحولات عمده در صنعت نیمه هادی ها از طریق استفاده از
مواد دو بعدی مانند گرافن و دی کالکوژنیدهای فلزات واسطه برای
مدارهای مجتمع در افق هستند.این کتاب اولین درمان جامع این زمینه
را با تاکید بر کاربرد در دستگاه های نانوالکترونیکی ارائه می
دهد. فصل‌ها بر اساس سه خانواده اصلی این مواد تقسیم می‌شوند که
شامل گرافن برای کاربردهای آنالوگ و فوتونیک، MoS2 (دی سولفید
مولیبدن) برای کاربردهای منطقی و مواد جدید مانند سیلیسن، ژرمانن،
استانن و فسفرن است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
"Major developments in the semiconductor industry are on the
horizon through the use of 2D materials such as graphene and
transition metal dichalcogenides for integrated circuits. This
book provides the first comprehensive treatment of the field
with an emphasis on applications in nanoelectronic devices.
Chapters are divided by the three major families of such
materials, covering graphene for analog and photonic
applications, MoS2
(molybdenum disulfide) for logic applications and novel
materials such as silicene, germanene, stanene and
phosphorene"-- Read
more...
Abstract: "Major developments in the semiconductor industry are
on the horizon through the use of 2D materials such as graphene
and transition metal dichalcogenides for integrated circuits.
This book provides the first comprehensive treatment of the
field with an emphasis on applications in nanoelectronic
devices. Chapters are divided by the three major families of
such materials, covering graphene for analog and photonic
applications, MoS2 (molybdenum disulfide) for logic
applications and novel materials such as silicene, germanene,
stanene and phosphorene"
فهرست مطالب
Content: Theory of the structural, electronic and transport properties of graphene / Massoud Ramezani Masir, Ortwin Leenaerts, Bart Partoens, and François Peeters --
Epitaxial graphene: progress on synthesis and device integration / Joshua Robinson, Matthew Hollander, and Suman Datta --
Metal contacts to graphene / Akira Toriumi and Kosuke Nagashio --
Graphene for RF analog applications / Max Lemme and Frank Schwierz --
High-field and thermal transport in graphene / Zuanyi Li, Vincent Dorgan, Andrey Serov, and Eric Pop --
Theoretical study of transition metal dichalcogenides / Emilio Scalise --
Physico-chemical characterization of MoS2/metal and MoS2/oxide interfaces / Stephen McDonnell, Rafik Addou, Christopher Hinkle, and Robert Wallace --
Transition metal dichalcogenide Schottky barrier transistors: a device analysis and material comparison / Joerg Appenzeller, Feng Zhang, Saptarshi Das, and Joachim Knoch --
TMD-based photodetectors, light emitters and photovoltaics / Thomas Mueller --
Optoelectronics, mechanical properties and strain engineering in MoS2 / Andres Castellanos-Gomez, Michele Buscema, Herre S.J. van der Zant, and Gary A. Steele --
Device physics and device mechanics for flexible TMD and phosphorene thin film transistors / Hsiao-Yu Chang, Weinan Zhu, and Deji Akinwande --
Structural, electronic and transport properties of silicene and germanene / Michel Houssa, Valery Afanas'ev, and André Stesmans --
Group IV semiconductor 2D materials: the case of silicene and germanene / Alessandro Molle, Dimitra Tsoutsou, and Athanasios Dimoulas --
Stannene: a likely 2D topological insulator / William Vandenberghe, Ana Suarez Negreira, and Massimo Fischetti --
Phosphorene: a novel 2D material for future nanoelectronics and optoelectronics / Yexin Deng, Wei Luo, Han Liu, Yuchen Du, Kun Xu, and Peide Ye --
2D-crystal based heterostructures for nanoelectronics / Cinzia Casiraghi and Freddie Withers.
